特許

J-GLOBAL ID：201503019680090489

窒化物系半導体発光素子

発明者： 井上 彰 ,  藤金 正樹 ,  横川 俊哉
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (5件)： 奥田 誠司 ,  喜多 修市 ,  梶谷 美道 ,  岡部 英隆 ,  三宅 章子
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012003488
公開番号（公開出願番号）：WO2013-008380
出願日： 2012年05月29日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：

本発明の窒化物系半導体発光素子は主面が半極性面または非極性面である窒化物半導体から形成された活性層306を含み、凹部および凸部の少なくとも一方が形成された凹凸面310を有する半導体積層構造と、半導体積層構造の凹凸面310の側を覆い、活性層306から放射された光の少なくとも一部を反射する電極308と、半導体積層構造の凹凸面310とは反対側に配置され、活性層306から放射された光および電極308によって反射された光を透過する複屈折性基板304とを備える。

請求項（抜粋）：

光取り出し面を有する窒化物系半導体発光素子であって、 主面が半極性面または非極性面である窒化物半導体から形成された活性層を含む半導体積層構造と、 前記活性層から放射された光の少なくとも一部を前記光取り出し面の方向に反射する電極と、 前記光取り出し面と前記電極との間に配置され、前記活性層から放射された光および前記電極によって反射された光を透過する複屈折性基板と、 前記活性層と前記電極との間に位置する凹凸面と、 を備え、 当該基板の複屈折率をΔn、当該基板の厚さをd、発光波長をλ、aを自然数とした場合、以下の関係を満たし、

IPC (5件)：

H01L 33/22 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/10 ,  H01L 33/62 ,  H01L 33/16

FI (5件)：

H01L33/00 172 ,  H01L33/00 186 ,  H01L33/00 130 ,  H01L33/00 440 ,  H01L33/00 160

Fターム (13件)：

5F141AA03 ,  5F141AA06 ,  5F141CA12 ,  5F141CA22 ,  5F141CA23 ,  5F141CA40 ,  5F141CB15 ,  5F142BA32 ,  5F142CA03 ,  5F142CA11 ,  5F142CB01 ,  5F142CB03 ,  5F142CD02