特許

J-GLOBAL ID：201503019681302839

炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法

発明者： 玄番 潤
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-017501
公開番号（公開出願番号）：特開2015-143168
出願日： 2014年01月31日
公開日（公表日）： 2015年08月06日
要約：

【課題】表面性状が良好であり、かつ窒素原子のバックグラウンド濃度が十分に低減されている炭化珪素エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素エピタキシャル基板10は、C面を主表面として有するベース基板1と、ベース基板1のC面上に配置された炭化珪素エピタキシャル層2とを備える。炭化珪素エピタキシャル層2は、窒素原子のバックグラウンド濃度が3×1015cm-3以下である層を含む。炭化珪素エピタキシャル層2の形成工程において、原料ガス中の珪素原子数に対する炭素原子数の比C/Siを1.7以上かつ2.1以下とし、エピタキシャル成長温度を1600°C以上1800°C以下の範囲とする。さらに、炭化珪素成長装置を構成する部材の窒素濃度を10ppm以下とし、前記部材から放出される窒素を低減することにより、炭化珪素エピタキシャル基板10の窒素原子のバックグラウンド濃度を低減することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

C面を主表面として有する炭化珪素ベース基板と、 前記炭化珪素ベース基板の前記C面上に配置された炭化珪素エピタキシャル層とを備え、 前記炭化珪素エピタキシャル層は、窒素原子のバックグラウンド濃度が3×1015cm-3以下である層を含む、炭化珪素エピタキシャル基板。

IPC (5件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/205 ,  C30B 25/16 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/455

FI (5件)：

C30B29/36 A ,  H01L21/205 ,  C30B25/16 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455

Fターム (45件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077DB09 ,  4G077EA02 ,  4G077EC09 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  4G077TC01 ,  4G077TC06 ,  4G077TD01 ,  4G077TF01 ,  4G077TK01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA24 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA09 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA59 ,  5F045DP04