特許

J-GLOBAL ID：201503019750565943

記憶装置及びデータ読み出し方法

発明者： 米村 貴幸 ,  ▲濱▼田 泰彰 ,  横山 好彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-239318
公開番号（公開出願番号）：特開2015-099861
出願日： 2013年11月19日
公開日（公表日）： 2015年05月28日
要約：

【課題】 非破壊読み出しが可能であり、長期に亘り高い信頼性を維持できる記憶装置を提供する。【解決手段】 第1電極13と、第1電極上に設けられた強誘電体層14と、強誘電体層14上に設けられた第2電極15と、を具備し、第2電極が透明電極であり、強誘電体層14と第1電極13又は第2電極15との間でpn接合16が形成されていることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1電極、強誘電体層及び第2電極が積層された強誘電体キャパシターを具備する記憶装置において、 前記第2電極が透明電極であり、前記強誘電体層と前記第1電極又は前記第2電極との間でpn接合が形成されていることを特徴とする記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  G11C 11/22 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L27/10 444B ,  H01L27/10 431 ,  G11C11/22 501A ,  H01L21/316 G

Fターム (24件)：

5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F083CR11 ,  5F083FR02 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083ZA30