特許
J-GLOBAL ID:201503019760049080

抵抗体内蔵多層ガラスセラミック基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田・鈴木国際特許業務法人
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2012080810
公開番号(公開出願番号):WO2013-088957
出願日: 2012年11月29日
公開日(公表日): 2013年06月20日
要約:
【課題】多層ガラスセラミック回路基板に内蔵された抵抗体であって、抵抗値変化の少ない抵抗体を内蔵した多層ガラスセラミック回路基板を提供する。【解決手段】抵抗体に含まれるガラスのガラス軟化点Tr1とガラスセラミック基板に含まれるガラスのガラス軟化点Tc1がTc1-110≦Tr1≦Tc1+70の関係を満たすガラスを用い、抵抗体内部の空隙を微小で連続的に繋がっていない空隙構造にすることで、内蔵抵抗体の抵抗値バラツキの小さい抵抗体を得る。【選択図】図1
請求項(抜粋):
積層された複数のガラスセラミックスからなる絶縁層と、該絶縁層間に形成された抵抗体接続用の少なくとも一対の内部導体と、両端部が前記一対の内部導体にそれぞれ接続された抵抗体を具備してなる抵抗体内蔵多層ガラスセラミック基板において、 前記抵抗体は、導電性粉末とガラス粉末を含んだ材料より形成され、さらに点在した微小な空隙を有することを特徴とする抵抗体内蔵多層ガラスセラミック基板。
IPC (3件):
H05K 3/46 ,  H05K 1/16 ,  H01C 7/00
FI (4件):
H05K3/46 Q ,  H05K3/46 H ,  H05K1/16 C ,  H01C7/00 M
Fターム (42件):
4E351AA07 ,  4E351BB05 ,  4E351BB31 ,  4E351CC12 ,  4E351DD05 ,  4E351DD32 ,  4E351DD33 ,  4E351DD52 ,  4E351EE03 ,  4E351EE09 ,  4E351EE12 ,  4E351EE13 ,  4E351EE14 ,  4E351EE24 ,  4E351EE26 ,  4E351GG09 ,  5E033AA03 ,  5E033AA18 ,  5E033BB09 ,  5E033BC01 ,  5E033BD01 ,  5E316AA12 ,  5E316AA14 ,  5E316AA28 ,  5E316AA37 ,  5E316AA43 ,  5E316CC02 ,  5E316CC18 ,  5E316CC31 ,  5E316CC32 ,  5E316CC37 ,  5E316CC39 ,  5E316DD02 ,  5E316DD13 ,  5E316DD34 ,  5E316EE01 ,  5E316EE21 ,  5E316FF01 ,  5E316GG03 ,  5E316HH07 ,  5E316HH40 ,  5E316JJ14

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