特許

J-GLOBAL ID：201503019932996843

基板処理方法、接触角制御装置、および基板処理用記録媒体

発明者： 甲斐 亜希子 ,  井関 智弘
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柏岡 潤二 ,  鄭 聖曄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-214043
公開番号（公開出願番号）：特開2014-067966
特許番号：特許第5801780号
出願日： 2012年09月27日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板に対して反射防止膜およびレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェースブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェースブロックを介して戻ってきた露光後の前記基板を現像処理して前記キャリアブロックに受け渡し、前記現像処理後の基板表面の前記反射防止膜および前記レジスト膜の接触角を示す接触角情報を予め格納する格納手段を備える基板処理装置における基板処理方法であって、 前記格納手段に予め格納された前記接触角情報を読み取り、前記反射防止膜の接触角と前記レジスト膜の接触角の大小を比較する大小比較ステップと、 前記大小比較ステップにて前記反射防止膜の接触角と前記レジスト膜の接触角との間に差があると判定された場合に、前記反射防止膜の接触角と前記レジスト膜の接触角との差を一定以内に制御するために、前記差に基づき、前記基板表面に対して疎水化処理および紫外線照射処理のうち何れかを行うことを判断する判断ステップと、 前記判断ステップにおける判断結果に従い、前記疎水化処理および前記紫外線照射処理のうち何れかを実行する処理実行ステップと、 を備える、基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  G03F 7/38 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/30 562 ,  G03F 7/38 501