特許

J-GLOBAL ID：201503020174968946

透明導電体およびその製造方法

発明者： 今津 直樹 ,  渡邊 修 ,  中嶋 直敏 ,  藤ヶ谷 剛彦
出願人/特許権者： 国立大学法人九州大学 ,  東レ株式会社
代理人 (2件)： 伴 俊光 ,  細田 浩一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012074155
公開番号（公開出願番号）：WO2013-047341
出願日： 2012年09月21日
公開日（公表日）： 2013年04月04日
要約：

透明基材上にカーボンナノチューブを含む分散液を塗布し乾燥させて導電層を形成することで透明基材の少なくとも片面に導電性の積層構造を形成する透明導電体の製造方法であって、導電層を形成する前に0.2〜20質量%の割合でホールドープ化合物を含有するアンダーコート層を透明基材上に形成する工程、または、導電層を形成した後に0.2〜20質量%の割合でホールドープ化合物を含有するオーバーコート層を形成する工程を実施することを特徴とする透明導電体の製造方法。また、透明基材の少なくとも片面に、ホールドープ化合物を0.2〜20質量%の割合で含むアンダーコート層と、カーボンナノチューブを含む導電層とをこの順で有し、あるいは、カーボンナノチューブを含む導電層と、ホールドープ化合物を0.2〜20質量%の割合で含むオーバーコート層とをこの順で有することを特徴とする透明導電体。透明導電性に優れ、簡便かつ生産性のあるカーボンナノチューブ透明導電体を形成する手法を提供する。

請求項（抜粋）：

透明基材上にカーボンナノチューブを含む分散液を塗布し乾燥させて導電層を形成することで透明基材の少なくとも片面に導電性の積層構造を形成する透明導電体の製造方法であって、 導電層を形成する前にホールドープ化合物を0.2〜20質量%の割合で含むアンダーコート層を透明基材上に形成する工程、および/または、導電層を形成した後にホールドープ化合物を0.2〜20質量%の割合で含むオーバーコート層を形成する工程を実施することを特徴とする透明導電体の製造方法。

IPC (5件)：

H01B 13/00 ,  H01B 5/14 ,  B32B 7/02 ,  B05D 5/12 ,  B05D 7/24

FI (5件)：

H01B13/00 503B ,  H01B5/14 A ,  B32B7/02 104 ,  B05D5/12 B ,  B05D7/24 303G

Fターム (39件)：

4D075AE03 ,  4D075BB72X ,  4D075BB72Z ,  4D075CA22 ,  4D075CA37 ,  4D075CB06 ,  4D075DB31 ,  4D075DB33 ,  4D075DB43 ,  4D075DB48 ,  4D075DB53 ,  4D075DC24 ,  4D075EA10 ,  4D075EA41 ,  4D075EC01 ,  4D075EC22 ,  4F100AA05B ,  4F100AA05D ,  4F100AA37C ,  4F100AD11C ,  4F100AK42 ,  4F100AT00A ,  4F100BA04 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10D ,  4F100EH46B ,  4F100EH46C ,  4F100EH46D ,  4F100GB41 ,  4F100JG01C ,  4F100JN01A ,  4F100YY00B ,  4F100YY00D ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB04 ,  5G307FC10 ,  5G323BA05 ,  5G323BB02