特許
J-GLOBAL ID：201503020384694319
金属汚染評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-025395
公開番号（公開出願番号）：特開2013-162094
特許番号：特許第5742742号
出願日： 2012年02月08日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属汚染評価用シリコン基板の再結合ライフタイムの測定値を用いて、評価対象の熱処理炉の金属汚染を評価する方法であって、
同一のシリコン単結晶インゴットから複数のシリコン基板を作製することにより複数の前記金属汚染評価用シリコン基板を準備する工程と、
前記複数の金属汚染評価用シリコン基板のうち1枚を、評価対象ではない熱処理炉で熱処理してGrown-in再結合中心を消滅させる熱処理Aを、熱処理温度を1000°C以上1200°C以下とし、熱処理時間を1分以上60分以下の範囲として行う工程と、
前記複数の金属汚染評価用シリコン基板のうち前記熱処理Aを行わないシリコン基板を、前記評価対象の熱処理炉で熱処理する熱処理Bを行う工程と、
前記熱処理A又は前記熱処理Bを行った後の各々のシリコン基板の表面に対して表面パシベーション処理を行う工程と、
前記熱処理A及び前記表面パシベーション処理を行った後のシリコン基板の再結合ライフタイムを、マイクロ波光導電減衰法により測定して測定値Aを得る工程と、
前記熱処理B及び前記表面パシベーション処理を行った後のシリコン基板の再結合ライフタイムを、マイクロ波光導電減衰法により測定して測定値Bを得る工程と、
前記測定値Aを基準として、前記測定値Bを比較することにより前記評価対象の熱処理炉の金属汚染を評価する工程と
を含むことを特徴とする金属汚染評価方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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