特許
J-GLOBAL ID：201503020831105334
エッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-058745
公開番号（公開出願番号）：特開2015-185594
出願日： 2014年03月20日
公開日（公表日）： 2015年10月22日
要約：
【課題】高い選択性、高い制御性、および高いスループットを兼ね備えたエッチング装置を実現する。【解決手段】処理室21と、反応種の供給部と、真空紫外光照射用ランプ43とを具備するエッチング装置を用意する。このエッチング装置では、ウェハ13の表面に反応種を吸着させて反応生成物を形成する第1工程と、真空紫外光照射用ランプ43によってウェハ13の表面に真空紫外光を照射し、反応生成物を脱離させる第2工程と、脱離した反応生成物を排気する第3工程とを繰り返すことによりエッチングを行うことができるため、ウェハ13の冷却などに要する時間を省略することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
処理室と、
前記処理室内に設けられ、被処理体を戴置するステージと、
前記処理室にラジカルを供給するためのラジカル源と、
前記処理室を減圧するための真空ポンプと、
前記処理室の上部から、前記被処理体に近紫外光または真空紫外光を照射するランプと、
を有し、
前記処理室内に前記ラジカル源から前記ラジカルを供給し、前記被処理体の表面に前記ラジカルを吸着させることで、前記被処理体の表面に反応生成物を形成する第1工程と、
前記第1工程の後、前記ランプから前記被処理体の表面に近紫外光または真空紫外光を照射することで、前記反応生成物を前記被処理体から脱離させる第2工程と、
前記第2工程により脱離させた前記反応生成物を、前記真空ポンプを用いて前記処理室の外に排気する第3工程と、
を繰り返し行うことにより、前記被処理体をエッチングする、エッチング装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/306
, H05H 1/46
H01L21/302 201A
, H01L21/302 101C
, H05H1/46 L
5F004AA03
, 5F004BA20
, 5F004BB05
, 5F004BB29
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA17
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004EA28
, 5F004EA34
