特許
J-GLOBAL ID：201503021060569258
半導体装置の製造方法、半導体装置、及び表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-066195
公開番号（公開出願番号）：特開2015-111603
出願日： 2012年03月22日
公開日（公表日）： 2015年06月18日
要約：
【課題】高性能かつフレキシブルな半導体装置の製造歩留まりを高める。【解決手段】熱膨張係数が単結晶シリコン基板20のそれと近似するガラス基板11、13と、両基板間に配されるプラスチック基板12とで構成される絶縁性基板10を形成する工程と、絶縁性基板10と単結晶シリコン基板20とを接合した後、熱処理により単結晶シリコン基板20の一部を分離して、ガラス基板11上に単結晶シリコン層14を形成する工程を含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
単結晶半導体基板にイオンを照射して、該単結晶半導体基板の所定の深さに分離層を形成する工程と、
上記単結晶半導体基板の熱膨張係数と近似する熱膨張係数を有する第1基板及び第3基板と、該第1基板及び第3基板の間に配される第2基板とにより構成される、可撓性を有する絶縁性基板を形成する工程と、
上記単結晶半導体基板と上記第1基板とが接合されるように、上記単結晶半導体基板と上記絶縁性基板とを貼り合せる工程と、
熱処理により上記分離層から上記単結晶半導体基板の一部を分離して、上記絶縁性基板上に、上記単結晶半導体基板の残部としての単結晶半導体層を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/12 B
, H01L21/02 B
