集積されたダイオードを有するSOI基板を備える複合半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：杉村憲司 , 福尾誠 , 吉澤雄郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-154973
公開番号（公開出願番号）：特開2013-042120
特許番号：特許第5793120号
出願日： 2012年07月10日
公開日（公表日）： 2013年02月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】アノード及びカソードを有するダイオードを含むSOI(silicon on insulator)基板、前記ダイオードの上に形成された遷移体、及び前記遷移体の上に形成された、ソース及びドレインを含むトランジスタ、を備え、前記ダイオードは、第1の導電型を有するアノード層と、前記アノード層に隣接する前記第1の導電型の高濃度ドープ層と、前記第1の導電型と反対の第2の導電型を有するカソード層と、前記カソード層に隣接する前記第2の導電型の高濃度ドープ層と、を含み、前記第1の導電型の高濃度ドープ層と前記第2の導電型の高濃度ドープ層とのうちの一つの層が、前記SOI基板の絶縁層と、前記アノード層及び前記カソード層との間に配置されており、前記第1の導電型の高濃度ドープ層と前記第2の導電型の高濃度ドープ層とのうちの前記一つの層が、前記絶縁層内に延在せず、かつ、前記絶縁層を貫通せず、前記ソースが第1の電気的接続部によって前記ダイオードに接続され、前記ドレインが第2の電気的接続部によって前記ダイオードに接続されている、複合半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 21/337 ( 200 6.01) , H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/808 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01) , H01L 27/095 ( 200 6.01) , H01L 29/778 ( 200 6.01) , H01L 29/861 ( 200 6.01) , H01L 29/868 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/06 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01L 29/80 P , H01L 29/80 E , H01L 29/80 H , H01L 29/91 C , H01L 29/91 E , H01L 29/78 613 Z , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 E , H01L 27/06 102 A

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-339141 出願人：パナソニック株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-230174 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-019071 出願人：古河電気工業株式会社

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審査官引用 (9件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-339141 出願人：パナソニック株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-230174 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-019071 出願人：古河電気工業株式会社

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