特許
J-GLOBAL ID：201503021243649073
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本多 一郎
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013053391
公開番号（公開出願番号）：WO2013-136896
出願日： 2013年02月13日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：
導電ポスト8と被接合部材である半導体チップ6や導電パターン付絶縁基板4を金属ナノ粒子を用いて金属粒子接合する場合に、導電ポスト8の先端の底面12を凹状にすることで、強固な接合層を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体チップと導電接続体を有する半導体装置において、被接合材に固着される導電接続体の先端の底面に凹部を形成し、該凹部において金属ナノ粒子を用いて被接合材と接合することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/60 321E
, H01L23/50 S
