特許
J-GLOBAL ID：201503021414520317
セレクトデバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
野村 泰久
, 大菅 義之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-506420
特許番号：特許第5740044号
出願日： 2012年03月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の電極上に形成された少なくとも1つの半導体材料を含む半導体スタックであって、前記半導体スタックが700オングストローム以下の厚さを有し、前記少なくとも1つの半導体材料のそれぞれが4電子ボルト以下の関連するバンドギャップを有し、前記少なくとも1つの半導体材料が第1の部分的にナノ結晶化された半導体材料であり、前記半導体スタックが、前記第1の部分的にナノ結晶化された半導体材料上に形成された非晶質半導体材料と、前記非晶質半導体材料上に形成された第2の部分的にナノ結晶化された半導体材料とを含む、半導体スタックと、
前記半導体スタック上に形成された第2の電極と、
を備えるセレクトデバイス。
IPC (7件)：
H01L 29/86 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
, H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 29/868 ( 200 6.01)
, H01L 29/861 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
H01L 29/86 A
, H01L 29/86 301 P
, H01L 29/91 A
, H01L 29/91 C
, H01L 29/91 F
, H01L 29/48 P
, H01L 21/20
