特許

J-GLOBAL ID：201503021505688732

抵抗変化素子及びその製造方法

発明者： 西岡 浩 ,  堀田 和正 ,  福田 夏樹 ,  菊地 真 ,  鄒 弘綱
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (2件)： 大森 純一 ,  折居 章
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012003728
公開番号（公開出願番号）：WO2012-169195
出願日： 2012年06月07日
公開日（公表日）： 2012年12月13日
要約：

【課題】フォーミング処理を不要とし、素子の消費電力低減及び微細化を可能とする抵抗変化素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係る抵抗変化素子1は、下部電極層3と、上部電極層5と、酸化物半導体層4とを具備する。酸化物半導体層4は、第1の金属酸化物層41と、第2の金属酸化物層42とを有する。第1の金属酸化物層41は、下部電極層3と上部電極層5との間に形成され、下部電極層3とオーミック接合される。第2の金属酸化物層42は、第1の金属酸化物層41と上部電極層5との間に形成され、上部電極層5とオーミック接合される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の電極と、 第2の電極と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間に形成され、前記第1の電極とオーミック接合される第1の金属酸化物層と、前記第1の金属酸化物と前記第2の電極との間に形成され、前記第2の電極とオーミック接合される第2の金属酸化物層とを有する酸化物半導体と を具備する抵抗変化素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (8件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22