高輝度発光ダイオードのための高スループット高温試験方法およびシステム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-542380
公開番号（公開出願番号）：特表2014-535175
出願日： 2012年11月13日
公開日（公表日）： 2014年12月25日
要約：

ウエハレベルのパッケージ化された高輝度蛍光体変換型発光ダイオード(pc-HBLED)の高温試験を実施する方法は、レーザを用いて、蛍光体層において既定の温度勾配を提供するように、蛍光体層の部分を選択的に加熱するステップを含む。選択的に加熱するステップは、シリコーンベースの蛍光体層におけるシリコーンを直接加熱できるし、あるいは、LumiramicTMベースの蛍光体における蛍光体の活性イオンもしくはシリコーンベースの蛍光体層の活性イオンでさえも直接加熱できる。電流は、InGaNフィルムに流されて、既定の温度をInGaNフィルム接合部に確立し、フィルム接合部が蛍光体層に隣接する。選択的に加熱するステップの後、かつ、エレクトロルミネッセント電流を流す間、光度測定がHBLED上で実施される。本方法は、HBLEDにおいて、動作時の製品レベルHBLEDの温度および温度勾配と一致する温度および温度勾配を迅速に確立し、それによって、HBLEDの正確なビニングを確保する。

請求項（抜粋）：

高輝度発光ダイオード(HBLED)の高温試験を実施する方法であって、前記HBLEDが、窒化インジウムガリウム(InGaN)フィルムと、前記InGaNフィルム上に形成される蛍光体層と、前記蛍光体層および前記InGaNフィルムの上に形成されるレンズとを含み、前記方法が、レーザを用いて、前記蛍光体層において既定の温度勾配を提供するように、前記蛍光体層の部分を選択的に加熱するステップと、既定の温度を前記InGaNフィルム内に確立するために、電流を前記InGaNフィルムに流すステップと、前記HBLED上で光度測定を実施するステップとを備える、高輝度発光ダイオード(HBLED)の高温試験を実施する方法。

IPC (6件)：

H01L 33/00 , H01L 33/32 , H01L 33/50 , G01R 31/26 , G01J 1/00 , G01M 11/00

FI (7件)：

H01L33/00 K , H01L33/00 186 , H01L33/00 410 , G01R31/26 F , G01R31/26 H , G01J1/00 C , G01M11/00 T

Fターム (45件)：

2G003AA06 , 2G003AD01 , 2G003AD05 , 2G003AH04 , 2G020AA08 , 2G020DA02 , 2G020DA03 , 2G020DA04 , 2G020DA12 , 2G020DA63 , 2G065AA01 , 2G065AB09 , 2G065BB25 , 2G065BB42 , 2G065DA05 , 2G086EE03 , 5F141AA31 , 5F141AA46 , 5F141BB33 , 5F141CA40 , 5F141CB13 , 5F142AA22 , 5F142AA23 , 5F142AA81 , 5F142BA32 , 5F142CB07 , 5F142CD02 , 5F142CD34 , 5F142CF13 , 5F142CG05 , 5F142CG23 , 5F142DA02 , 5F142DA03 , 5F142DA14 , 5F142DA22 , 5F142DA73 , 5F142DB44 , 5F142EA08 , 5F142FA24 , 5F142FA28 , 5F142FA46 , 5F142FA50 , 5F142GA21 , 5F142HA01 , 5F142HA05

引用特許：

出願人引用 (6件)

白色発光装置及びこれを用いた車両用灯具
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-035462 出願人：株式会社小糸製作所
白色発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-040466 出願人：三菱化学株式会社
半導体素子及び各種部品のレーザー昇温装置。
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-247315 出願人：藤田常人

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