特許
J-GLOBAL ID：201503021744848369
プラズマエッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村上 智司
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012070811
公開番号（公開出願番号）：WO2013-035510
出願日： 2012年08月16日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
要約：
本発明の解決課題は、ワイドギャップ半導体基板にテーパ状の凹部を形成することができるプラズマエッチング方法を提供することである。解決手段としては、ワイドギャップ半導体基板Kの表面に、当該ワイドギャップ半導体基板Kよりもエッチング速度の大きな高速エッチング膜Eを形成させ、その上に開口部を有したマスクMを形成する。そして、高速エッチング膜E及びマスクMが形成されたワイドギャップ半導体基板Kを基台に載置し、当該ワイドギャップ半導体基板Kを200°C以上に加熱した後、処理チャンバ内に供給されたエッチングガスをプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、ワイドギャップ半導体基板Kをエッチングする。
請求項（抜粋）：
プラズマ化した反応性エッチングガスを用いて、処理チャンバ内に配置された基台上に載置されるワイドギャップ半導体基板をプラズマエッチングする方法であって、
前記反応性エッチングガスをプラズマ化して生成される反応種により、前記ワイドギャップ半導体基板の構成成分よりも速い速度でエッチングされる成分からなる高速エッチング膜を、前記ワイドギャップ半導体基板の表面に形成する成膜工程と、
前記ワイドギャップ半導体基板の表面に形成した高速エッチング膜上に、開口部を有するマスクを形成するマスク形成工程と、
前記ワイドギャップ半導体基板を前記処理チャンバ内の基台上に載置して、該ワイドギャップ半導体基板を200°C以上に加熱し、前記反応性エッチングガスを前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化するとともに、前記ワイドギャップ半導体基板が載置された基台にバイアス電位を印加して、前記プラズマ化した反応性エッチングガスによって、前記開口部を通して前記高速エッチング膜及び前記ワイドギャップ半導体基板をエッチングするエッチング工程とを行うようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/302 105A
, H01L21/302 101C
, H01L21/302 104Z
5F004AA09
, 5F004DA18
, 5F004DA26
, 5F004DB13
, 5F004DB19
, 5F004EA01
, 5F004EA05
, 5F004EA06
, 5F004EA07
, 5F004EA09
, 5F004EB04
