特許
J-GLOBAL ID：201503021843740901
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
加藤 朝道
, 内田 潔人
, 青木 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-254773
公開番号（公開出願番号）：特開2015-115387
出願日： 2013年12月10日
公開日（公表日）： 2015年06月22日
要約：
【課題】信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置の製造方法は、第1バンプを有する第1半導体チップを製造する工程と、第2バンプを有する第2半導体チップを製造する工程と、第1バンプと第2バンプとが電気的に接続するように、第1半導体チップと第2半導体チップとを積層する工程と、を含む。第1半導体チップを製造する工程は、第1バンプを形成する工程と、第1バンプの少なくとも側面を覆う樹脂膜を形成する工程と、第1バンプの少なくとも上面が露出するように樹脂膜の一部を除去する工程と、を含む。第2半導体チップを製造する工程は、第1絶縁層を形成する工程と、少なくとも上面が第1絶縁層から露出するように第2バンプを形成する工程と、を含む。第1半導体チップと第2半導体チップとを積層する工程において、第1バンプ及び第2バンプのうち少なくとも一方の側面を覆うように樹脂膜を流動させる。【選択図】図17
請求項（抜粋）：
第1バンプを有する第1半導体チップを製造する工程と、
第2バンプを有する第2半導体チップを製造する工程と、
前記第1バンプと前記第2バンプとが電気的に接続するように、前記第1半導体チップと前記第2半導体チップとを積層する工程と、を含み、
前記第1半導体チップを製造する工程は、
前記第1バンプを形成する工程と、
前記第1バンプの少なくとも側面を覆う樹脂膜を形成する工程と、
前記第1バンプの少なくとも上面が露出するように前記樹脂膜の一部を除去する工程と、を含み、
前記第2半導体チップを製造する工程は、
第1絶縁層を形成する工程と、
少なくとも上面が前記第1絶縁層から露出するように前記第2バンプを形成する工程と、を含み、
前記第1半導体チップと前記第2半導体チップとを積層する工程において、前記第1バンプ及び前記第2バンプのうち少なくとも一方の側面を覆うように前記樹脂膜を流動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/60
H01L25/08 C
, H01L21/60 311S
5F044LL01
, 5F044LL05
, 5F044RR03
, 5F044RR18
, 5F044RR19
