特許

J-GLOBAL ID：201503022325777687

窒化物半導体製造装置用部材の洗浄方法、及び窒化物半導体製造装置用部材の洗浄装置

発明者： 有村 忠信 ,  田渕 俊也
出願人/特許権者： 大陽日酸株式会社
代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  伏見 俊介
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012074536
公開番号（公開出願番号）：WO2013-047506
出願日： 2012年09月25日
公開日（公表日）： 2013年04月04日
要約：

窒化物半導体製造装置を構成する部材のうち、窒化物半導体を含む堆積物が付着した窒化物半導体製造装置用部材(13)の洗浄方法であって、塩素系ガスを含む洗浄ガスにより、窒化物半導体製造装置用部材を化学処理する工程と、昇華性を有した固体状物質を吹き付けて、窒化物半導体製造装置用部材(13)から堆積物を除去する工程と、を含む。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体製造装置を構成する部材のうち、窒化物半導体を含む堆積物が付着した窒化物半導体製造装置用部材の洗浄方法であって、 塩素系ガスを含む洗浄ガスにより、前記窒化物半導体製造装置用部材を化学処理する工程と、 昇華性を有した固体状物質を吹き付けて、前記窒化物半導体製造装置用部材から前記堆積物を除去する工程と、 を含むことを特徴とする窒化物半導体製造装置用部材の洗浄方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (2件)：

H01L21/304 645Z ,  H01L21/304 643Z

Fターム (18件)：

5F157AA43 ,  5F157AA47 ,  5F157AA48 ,  5F157AA53 ,  5F157AA57 ,  5F157BA06 ,  5F157BA22 ,  5F157BG02 ,  5F157BG13 ,  5F157BG14 ,  5F157BG15 ,  5F157BG62 ,  5F157BG95 ,  5F157BH18 ,  5F157CA05 ,  5F157CC11 ,  5F157CF62 ,  5F157DA21