放射線検出器とその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：杉谷勉 , 戸高弘幸 , 杉谷知彦 , 栗原要
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012005495
公開番号（公開出願番号）：WO2013-088601
出願日： 2012年08月30日
公開日（公表日）： 2013年06月20日
要約：

FPD(1)において、半導体多結晶膜(2)は、表面粗さRaが0.5μm以上1.5μm以下のグラファイトの支持基板(5)の面(5a)に直接形成されている。これにより、初めに形成される結晶粒の元となる結晶核が支持基板(5)側(支持基板(5)の面(5a))に形成し易くなり、初めに形成される結晶粒が大きく成長せず、小さくすることができる。そのため、初めに形成される小さな結晶粒から時間と共に大きな結晶粒を形成することができる。また、支持基板(5)側に初めに小さな結晶粒が形成されるので、支持基板(5)側に対する半導体多結晶膜(2)の密着性を向上させることができる。また、半導体多結晶膜(2)の表面の凹凸を抑えることができる。

請求項（抜粋）：

放射線に感応して電荷を生成する半導体多結晶膜と、前記半導体多結晶膜が形成された、バイアス電圧を印加するグラファイトの支持基板とを備えた放射線検出器において、前記半導体多結晶膜は、表面粗さRaが0.5μm以上1.5μm以下の前記支持基板の面に直接形成されていることを特徴とする放射線検出器。

IPC (4件)：

G01T 1/24 , H01L 27/144 , H01L 27/146 , H01L 31/08

FI (4件)：

G01T1/24 , H01L27/14 K , H01L27/14 C , H01L31/00 A

Fターム (44件)：

2G188AA03 , 2G188AA25 , 2G188BB02 , 2G188BB04 , 2G188CC29 , 2G188CC35 , 2G188DD04 , 2G188DD05 , 2G188DD35 , 2G188DD42 , 2G188DD43 , 2G188DD44 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA14 , 4M118CB05 , 4M118FB03 , 4M118FB08 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB23 , 4M118GA10 , 4M118HA25 , 4M118HA31 , 4M118HA32 , 5F088AA11 , 5F088AB09 , 5F088AB16 , 5F088AB17 , 5F088BA10 , 5F088BB03 , 5F088CB06 , 5F088DA05 , 5F088EA04 , 5F088FA02 , 5F088FA05 , 5F088FA11 , 5F088GA02 , 5F088GA03 , 5F088GA07 , 5F088JA09 , 5F088LA08

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