特許
J-GLOBAL ID:201503023022005610
光半導体封止用硬化性組成物及びこれを用いた光半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
好宮 幹夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-140233
公開番号(公開出願番号):特開2014-005328
特許番号:特許第5735457号
出願日: 2012年06月21日
公開日(公表日): 2014年01月16日
請求項(抜粋):
【請求項1】(A)下記一般式(1)
CH2=CH-(X)a-Rf1-(X’)a-CH=CH2 (1)
[式中、Xは-CH2-、-CH2O-、-CH2OCH2-、及び-Y-NR1-CO-(Yは-CH2-又は下記構造式(2)
で示されるo,m又はp-ジメチルシリルフェニレン基、R1は水素原子、又は非置換もしくは置換の一価炭化水素基)のいずれかで表される基、X’は-CH2-、-OCH2-、-CH2OCH2-、及び-CO-NR1-Y’-(Y’は-CH2-又は下記構造式(3)
で示されるo,m又はp-ジメチルシリルフェニレン基、R1は上記と同じ基である。)のいずれかで表される基であり、aは独立に0又は1である。Rf1は下記一般式(4)又は(5)
(式中、p及びqはそれぞれ1〜150の整数であって、かつpとqの和の平均は2〜300である。また、rは0〜6の整数、tは2又は3である。)
(式中、uは1〜300の整数、sは1〜80の整数、tは上記と同じである。)
で表される二価のパーフルオロポリエーテル基である。]
で表される直鎖状ポリフルオロ化合物:100質量部、
(B)下記一般式(6)で表される、一分子中にケイ素原子に直結した水素原子と、酸素原子又は窒素原子を含んでも良い二価の炭化水素基を介してケイ素原子に結合した一価のパーフルオロアルキル基又は一価のパーフルオロオキシアルキル基とを有する環状オルガノポリシロキサン:(A)成分のアルケニル基1モルに対してケイ素原子に直結した水素原子が0.1〜1.5モルとなる量、
(式中、vは3〜6の整数、wは1〜4の整数、v+wは4〜10の整数、R2は置換又は非置換の一価炭化水素基、Aは酸素原子又は窒素原子を含んでも良い二価の炭化水素基を介してケイ素原子に結合した一価のパーフルオロアルキル基又は一価のパーフルオロオキシアルキル基である。)
(C)白金族金属系触媒:白金族金属原子換算で0.1〜500ppm、
(D)下記一般式(7)で表される、一分子中にケイ素原子に直結した水素原子と、酸素原子又は窒素原子を含んでも良い二価の炭化水素基を介してケイ素原子に結合した一価のパーフルオロアルキル基又は一価のパーフルオロオキシアルキル基と、酸素原子を含んでも良い二価の炭化水素基を介してケイ素原子に結合したエポキシ基とを有する環状オルガノポリシロキサン:0.10〜10.0質量部、
(式中、iは1〜6の整数、jは1〜4の整数、kは1〜4の整数、i+j+kは4〜10の整数、R3は置換又は非置換の一価炭化水素基、Dは酸素原子又は窒素原子を含んでも良い二価の炭化水素基を介してケイ素原子に結合した一価のパーフルオロアルキル基又は一価のパーフルオロオキシアルキル基、Eは酸素原子を含んでも良い二価の炭化水素基を介してケイ素原子に結合したエポキシ基である。)
(E)平均粒子径が0.050〜10μmの球状シリカ粒子:1.0〜80.0質量部、
(F)下記一般式(8)で表される含フッ素オルガノ水素ポリシロキサン:(A)成分のアルケニル基1モルに対してケイ素原子に直結した水素原子が0.1〜1.5モルとなる量、
(式中、mは3〜50の整数、R4及びR5は置換又は非置換の一価炭化水素基、Qは酸素原子又は窒素原子を含んでも良い二価の炭化水素基を介してケイ素原子に結合した一価のパーフルオロアルキル基又は一価のパーフルオロオキシアルキル基である。)
(G)カルボン酸無水物:0.010〜10.0質量部
を含有し、硬化して得られる硬化物の、JIS K6253-3に規定されるタイプAデュロメータ硬さが30〜80であることを特徴とする光半導体封止用硬化性組成物。
IPC (9件):
C08L 71/02 ( 200 6.01)
, C08K 3/36 ( 200 6.01)
, C08K 5/092 ( 200 6.01)
, C08K 5/5435 ( 200 6.01)
, C08L 63/00 ( 200 6.01)
, C08L 83/05 ( 200 6.01)
, H01L 23/29 ( 200 6.01)
, H01L 23/31 ( 200 6.01)
, H01L 33/56 ( 201 0.01)
FI (8件):
C08L 71/02
, C08K 3/36
, C08K 5/092
, C08K 5/543
, C08L 63/00 A
, C08L 83/05
, H01L 23/30 F
, H01L 33/00 424
引用特許:
出願人引用 (5件)
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発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-127802
出願人:信越化学工業株式会社
-
特開平3-296519
-
半導体圧力センサ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-201366
出願人:信越化学工業株式会社
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審査官引用 (5件)
-
発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-127802
出願人:信越化学工業株式会社
-
特開平3-296519
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半導体圧力センサ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-201366
出願人:信越化学工業株式会社
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