特許

J-GLOBAL ID：201503023070257435

電場増強素子、分析装置、及び電子機器

発明者： 江成 めぐみ
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  渡辺 和昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-256723
公開番号（公開出願番号）：特開2015-114219
出願日： 2013年12月12日
公開日（公表日）： 2015年06月22日
要約：

【課題】増強度の大きい波長領域が広く多種類の標的物質に適用することができ、標的物質を高感度にSARS測定することのできる電場増強素子を提供すること。【解決手段】本発明に係る電場増強素子は、金属層と、前記金属層上に形成された誘電体層と、前記誘電体層に形成された凹部と、前記凹部内に形成された第1金属粒子と、前記凹部内に前記第1金属粒子と離間して形成され、前記第1金属粒子の材質とは異なる材質の第2金属粒子と、を含み、前記凹部の底面と前記金属層との距離は、20nm以上100nm未満である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属層と、 前記金属層上に形成された誘電体層と、 前記誘電体層に形成された凹部と、 前記凹部に形成された第1金属粒子と、 前記凹部に前記第1金属粒子と離間して形成され、前記第1金属粒子の材質とは異なる材質の第2金属粒子と、 を含み、 前記凹部の底面と前記金属層との距離は、20nm以上80nm以下である、電場増強素子。

IPC (1件)：

G01N 21/65

FI (1件)：

G01N21/65

Fターム (19件)：

2G043AA01 ,  2G043AA03 ,  2G043BA16 ,  2G043BA17 ,  2G043CA01 ,  2G043DA05 ,  2G043EA03 ,  2G043FA06 ,  2G043GA08 ,  2G043GB02 ,  2G043GB16 ,  2G043HA01 ,  2G043HA09 ,  2G043JA03 ,  2G043KA02 ,  2G043KA09 ,  2G043LA01 ,  2G043MA01 ,  2G043NA06