半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012064946
公開番号（公開出願番号）：WO2013-015031
出願日： 2012年06月11日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：

ナットグローブ(8)の側面に第1の突起部(10)を形成する。ナットグローブ(8)の挿入方向に対して、第1の突起部(10)の挿入方向前方および挿入方向後方に第1,2テーパー(10a,10b)をつける。第1の突起部(10)の挿入方向後方のテーパー(10b)を樹脂ケース(6)内の仕切り板(6b)の開口部(7a)に圧接させることで、樹脂ケース(6)にナットグローブ(8)を嵌合させる。これにより、ナットグローブ(8)のナット(15)と独立端子(5)の取り付け孔(16)とを高精度で位置合わせすることができる。さらに、樹脂ケース(6)の開口部(7a)入り口に第2の突起部(11)を設け、この第2の突起部(11)にナットグローブ(8)の後端部上面を圧接させることで、さらに、ナットグローブ(8)と樹脂ケース(6)との固定を確実に行うことができる。

請求項（抜粋）：

導電パターンが形成された絶縁基板と、前記絶縁基板の前記導電パターンに半田付けされた外部導出端子である独立端子と、前記独立端子の上面が露出するように、前記絶縁基板に被せられたケースと、前記ケースの側面に設けられた開口部と、前記開口部から前記独立端子を潜るように差し込まれ前記独立端子を固定するナットグローブと、前記ナットグローブの側面に形成され、前記ナットグローブが差し込まれる方向の前方および後方にそれぞれテーパーがついた第1の突起部と、を備え、前記第1の突起部の後方の前記テーパー箇所が前記開口部の側壁面に圧接されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/48

FI (2件)：

H01L25/04 C , H01L23/48 G

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