特許
J-GLOBAL ID：201503023945634203
電力用半導体装置、電力用半導体モジュール、および電力用半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-229284
公開番号（公開出願番号）：特開2015-090884
出願日： 2013年11月05日
公開日（公表日）： 2015年05月11日
要約：
【課題】高温動作に対応可能であって、信頼性の高い、小型の電力用半導体装置を提供する。【解決手段】電力用半導体装置1は、セラミック基材2iと、セラミック基材の上面に設けられた導体層2aと、導体層の上面に接合された電力用半導体素子3a,3bと、電力用半導体素子の上面であって終端部を除いた領域に接合された主端子6aと、半導体素子の周りを囲むように導体層の上面に接着された枠部材10と、枠部材の内側に充填され、少なくとも半導体素子と主端子との接合領域を封止する封止樹脂12とを備える。枠部材と半導体素子との間であって導体層の上面には、封止樹脂より小さい線膨張係数を有する低熱膨張材15が接合されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
セラミック基材と、
前記セラミック基材の上面に設けられた導体層と、
前記導体層の上面に接合された電力用半導体素子と、
前記電力用半導体素子の上面であって終端部を除いた領域に接合された主端子と、
前記電力用半導体素子の周りを囲むように前記導体層の上面に接着された枠部材と、
前記枠部材の内側に充填され、少なくとも前記電力用半導体素子と主端子との接合領域を封止する封止樹脂とを備え、
前記枠部材と電力用半導体素子との間であって前記導体層の上面には、前記封止樹脂より小さい線膨張係数を有する低熱膨張材が接合されたことを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
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