特許
J-GLOBAL ID:201503024206111258
成膜方法及び成膜装置
発明者:
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大倉 宏一郎
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2012069714
公開番号(公開出願番号):WO2013-046918
出願日: 2012年08月02日
公開日(公表日): 2013年04月04日
要約:
実用に耐えうることは勿論、耐摩耗性能がより高められた防汚膜を効率よく成膜することができる成膜装置を提供する。複数の基板14を保持するための基体保持面を持つ基板ホルダ12が真空容器10内に回転可能に配設された成膜装置1において、前記基体保持面の一部の領域に向けてイオンビームが照射可能となるような構成、配置及び/又は向きで真空容器10内に設置されたイオン源38と、前記基体保持面の一部で、かつイオン源38によるイオンビームの照射領域の少なくとも一部と重複する領域に向けて成膜材料が供給可能となるような構成で真空容器10内に設置された成膜手段としての蒸着源34及び規制板36とを、有する構成の成膜装置1である。
請求項(抜粋):
基体の表面をクリーニングした後、該基体のクリーニング面に薄膜を成膜する方法において、基体保持手段の基体保持面の一部の領域に向けてエネルギー粒子を照射することにより前記基体保持面に保持され回転している複数の基体のうち前記領域に移動してきた特定の基体群のみに前記エネルギー粒子を接触させることによって、前記基体の表面をクリーニングすることを特徴とする成膜方法。
IPC (4件):
C23C 14/02
, C23C 14/08
, C23C 14/12
, G02B 1/11
FI (4件):
C23C14/02 Z
, C23C14/08 N
, C23C14/12
, G02B1/10 A
Fターム (23件):
2K009AA02
, 2K009CC01
, 2K009DD03
, 2K009DD07
, 2K009DD08
, 4K029BA43
, 4K029BA46
, 4K029BA48
, 4K029BA62
, 4K029BB02
, 4K029BB03
, 4K029BC08
, 4K029CA01
, 4K029CA09
, 4K029DA03
, 4K029DB08
, 4K029DB13
, 4K029DB18
, 4K029DB21
, 4K029FA04
, 4K029FA05
, 4K029HA01
, 4K029JA02
前のページに戻る