特許
J-GLOBAL ID：201503024254258953

有機半導体層形成用溶液、有機半導体層および有機薄膜トランジスタ

発明者：
福田 貴

福田 貴 について

, 
渡辺 真人

渡辺 真人 について

, 
羽村 敏

羽村 敏 について


出願人/特許権者：
東ソー株式会社

東ソー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-158162
公開番号（公開出願番号）：特開2015-029019
出願日： 2013年07月30日
公開日（公表日）： 2015年02月12日
要約：
【課題】優れた半導体特性を発現することが可能な有機半導体層を形成することが可能な有機半導体形成用溶液、およびそれから形成される有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】下記一般式(1)(ここで、置換基R1およびR2は、同一でも異なっていてもよく、炭素数3〜9のアルキル基を示し、T1〜T4は、各々同一でも異なっていてもよく、酸素原子または硫黄原子を示す。)で示されるヘテロアセン誘導体、JISR3257に従って測定した水の接触角が70°以上の高分子化合物、および有機溶媒を含む溶液から形成される有機半導体層が連続的な相分離構造を有することで、優れた半導体・電気特性を発現することが可能な有機半導体層形成用溶液。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)
IPC (5件)：
H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/786 ,  C07D 495/22
FI (7件)：
H01L29/28 250H ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  C07D495/22 ,  H01L29/28 220A
Fターム (46件)：
4C071AA01 ,  4C071AA08 ,  4C071BB03 ,  4C071BB05 ,  4C071CC24 ,  4C071DD04 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071GG01 ,  4C071LL10 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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