特許
J-GLOBAL ID：201503024363922146

近接場光デバイス、記録装置及びサンプル基板

発明者：
糟谷 孝幸

糟谷 孝幸 について

, 
杉浦 聡

杉浦 聡 について

, 
吉沢 勝美

吉沢 勝美 について


出願人/特許権者：
パイオニア株式会社

パイオニア株式会社 について

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パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社

パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 について


代理人 (2件)： 江上 達夫 ,  中村 聡延
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-536072
特許番号：特許第5736051号
出願日： 2012年08月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に積層された量子ドット層と、 前記量子ドット層上に設けられた出力端と、 を備え、 前記基板を介して入射する光により前記量子ドット層に含まれる量子ドットに近接場光が発生し、前記発生した近接場光が前記出力端に移動することで、前記出力端に近接場光が発生し、 前記出力端は、複数の金属部材の集合として構成されており、前記複数の金属部材全体として一つの記録マークを形成し、 前記複数の金属部材の集合は、前記出力端の上方から平面的に見て、一の方向に沿う長さが、前記一の方向と交わる他の方向に沿う長さよりも長くなるように配置されている ことを特徴とする近接場光デバイス。
IPC (2件)：
G11B 5/31 ( 200 6.01) ,  G11B 5/02 ( 200 6.01)
FI (2件)：
G11B 5/31 Z ,  G11B 5/02 T
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (2件)
  • 超高密度光磁気記録技術, 20000516, pp.199-200
  • 次世代光メモリとシステム技術, 20090131, pp.142-151
審査官引用 (2件)
  • 超高密度光磁気記録技術, 20000516, pp.199-200
  • 次世代光メモリとシステム技術, 20090131, pp.142-151

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