多結晶シリコン棒の選択方法、多結晶シリコン塊の製造方法、及び、単結晶シリコンの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：大野聖二 , 森田耕司 , 片山健一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-173674
公開番号（公開出願番号）：特開2014-031297
特許番号：特許第5712176号
出願日： 2012年08月06日
公開日（公表日）： 2014年02月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】単結晶シリコン製造用原料として用いる多結晶シリコン棒を選択するための方法であって、多結晶シリコン棒から採取された板状試料の主面に電子線を照射して得られる電子後方散乱回折像を解析して、下記の2条件を同時に満足する多結晶シリコン棒を単結晶シリコン製造用原料として選択する、ことを特徴とする多結晶シリコン棒の選択方法。条件1:粒径が0.5μm以上の結晶粒が検出されない領域の総和面積が、電子線照射された面積全体の10%以下であること。条件2:粒径が0.5μm〜3μmの範囲にある結晶粒の個数が、検出された結晶粒の全体の45%以上であること。

IPC (1件)：