特許
J-GLOBAL ID:201503025133538157

積層セラミックコンデンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人深見特許事務所
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2012069426
公開番号(公開出願番号):WO2013-018789
出願日: 2012年07月31日
公開日(公表日): 2013年02月07日
要約:
耐湿負荷試験後の絶縁抵抗の低下を抑えることのできる積層セラミックコンデンサを提供する。 セラミック層3は、BaおよびTiを含み、Ca、Sr、Zr、Hfを任意で含むペロブスカイト型化合物を有する主相粒子と、平均粒径が100nm以上であり、1粒子中のSiの含有量が50モル%以上である二次相粒子と、を含み、(セラミック層3の平均厚さ)/(主相粒子の平均粒径)-1で表される平均粒界数が0より大きく3.0以下であり、かつ、二次相粒子の平均粒径がセラミック層3の厚さの1/4以上であることを特徴とする。
請求項(抜粋):
積層されている複数のセラミック層と、前記セラミック層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極と、を有する積層体と、前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサであって、 前記セラミック層は、 BaおよびTiを含み、Ca、Sr、Zr、Hfを任意で含むペロブスカイト型化合物を有する主相粒子と、 平均粒径が100nm以上であり、1粒子中のSiの含有量が50モル%以上である二次相粒子と、を含み、 (前記セラミック層の平均厚さ)/(前記主相粒子の平均粒径)-1で表される平均粒界数が0より大きく3.0以下であり、かつ、 前記二次相粒子の平均粒径が前記セラミック層の平均厚さの1/4以上であることを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。
IPC (2件):
H01G 4/12 ,  H01G 4/30
FI (3件):
H01G4/12 358 ,  H01G4/12 349 ,  H01G4/30 301E
Fターム (30件):
5E001AB03 ,  5E001AC04 ,  5E001AD04 ,  5E001AH01 ,  5E001AH09 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC19 ,  5E082BC35 ,  5E082BC39 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082EE30 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082GG10 ,  5E082GG11 ,  5E082GG26 ,  5E082GG28 ,  5E082HH43 ,  5E082JJ23 ,  5E082LL01 ,  5E082MM07 ,  5E082MM24 ,  5E082PP03 ,  5E082PP09

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