特許
J-GLOBAL ID：201503025268534801
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 楓国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-526824
特許番号：特許第5713109号
出願日： 2012年07月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に配設されたAlxGa1-xNからなる下部障壁層と、
該下部障壁層の、前記基板と反対側の面に配設されたGaNからなるチャンネル層と、
該チャンネル層の、前記下部障壁層と反対側の面に配設された、前記下部障壁層のAl組成比を超えるAl組成比のAlyGa1-yNからなる上部障壁層と、
該上部障壁層の、前記チャンネル層と反対側の面に配設されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の配設面における、前記ソース電極および前記ドレイン電極の配設領域を除く前記上部障壁層の領域に配設された絶縁層と、
前記絶縁層を介して配設されたゲート電極と、を備え、
前記ゲート電極の直下の領域では、前記絶縁層が、前記上部障壁層を貫通して前記チャンネル層に達する位置まで形成されたリセス構造からなり、
前記チャンネル層を構成するGaNの少なくとも一部は、n型ドーピングされ、
前記チャンネル層は、前記上部障壁層側となる第1チャンネル層と、前記下部障壁層側となる第2チャンネル層とからなり、
前記第1チャンネル層におけるn型ドーピング濃度が前記第2チャンネル層におけるn型ドーピング濃度よりも小さくされており、
前記絶縁層は、前記第2チャンネル層に到達しない形状で形成されている、電界効果トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 29/80 H
, H01L 29/78 301 B
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
