特許
J-GLOBAL ID：201503026397781404
多接合型太陽電池、光電変換素子及び化合物半導体層・積層構造体
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012072331
公開番号（公開出願番号）：WO2013-042526
出願日： 2012年09月03日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：
下地と格子整合がとれており、所望のバンドギャップを有する副セルを備えた多接合型太陽電池を提供する。第1化合物半導体層と第2化合物半導体層が積層されて成る副セル11,12,13,14の複数が積層されて成り、少なくとも1つの所定の副セル11は、第1-A層11AAと第1-B層11ABとが積層された第1層11A1,11A2、及び、第2-A層11CAと第2-B層11CBとが積層された第2層11Cから構成され、所定の副セル11におけるバンドギャップの値に基づき第1-A層11AA及び第2-A層11CAの組成-Aが決定され、下地の下地・格子定数と組成-Aの格子定数との差に基づき第1-B層11AB及び第2-B層11CBの組成-Bが決定され、下地・格子定数と組成-Bの格子定数との差並びに第1-A層11AAの厚さ及び第2-A層11CAの厚さに基づき、第1-B層11AB及び第2-B層11CBの厚さが決定される。
請求項（抜粋）：
複数の副セルが積層され、最上層に位置する副セルから最下層に位置する副セルへと光が入射され、各副セルにおいて発電がなされる多接合型太陽電池であって、
各副セルは、第1導電型を有する第1化合物半導体層、及び、第2導電型を有する第2化合物半導体層が積層されて成り、
複数の副セルの内、少なくとも1つの所定の副セルにおいては、
第1化合物半導体層は、第1導電型を有する第1-A化合物半導体層と、第1導電型第2導電型を有する第1-B化合物半導体層とが積層された第1化合物半導体層・積層ユニットの少なくとも1つから成り、
第2化合物半導体層は、第1導電型とは異なる第2導電型を有する第2-A化合物半導体層と、第2導電型を有する第2-B化合物半導体層とが積層された第2化合物半導体層・積層ユニットの少なくとも1つから成り、
第1-A化合物半導体層を構成する化合物半導体組成と第2-A化合物半導体層を構成する化合物半導体組成とは、同じ化合物半導体組成-Aであり、
第1-B化合物半導体層を構成する化合物半導体組成と第2-B化合物半導体層を構成する化合物半導体組成とは、同じ化合物半導体組成-Bであり、
所定の副セルにおけるバンドギャップの値に基づき、化合物半導体組成-Aが決定され、
第1化合物半導体層及び第2化合物半導体層を形成する際の下地の下地・格子定数と化合物半導体組成-Aの格子定数との差に基づき、化合物半導体組成-Bが決定され、
下地・格子定数と化合物半導体組成-Bの格子定数との差及び第1-A化合物半導体層の厚さに基づき、第1-B化合物半導体層の厚さが決定され、
下地・格子定数と化合物半導体組成-Bの格子定数との差及び第2-A化合物半導体層の厚さに基づき、第2-B化合物半導体層の厚さが決定され、
第1-A化合物半導体層及び第2-A化合物半導体層の厚さは、化合物半導体組成-Aにおける臨界膜厚未満であって、量子効果が生じない厚さであり、
第1-B化合物半導体層及び第2-B化合物半導体層の厚さは、化合物半導体組成-Bにおける臨界膜厚未満であって、量子効果が生じない厚さである多接合型太陽電池。
IPC (3件)：
H01L 31/072
, H01L 21/205
, H01L 31/073
H01L31/06 410
, H01L21/205
, H01L31/06 430
5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB10
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AF04
, 5F045BB12
, 5F151AA08
, 5F151BA11
, 5F151CB30
, 5F151DA03
, 5F151DA07
, 5F151DA16
, 5F151DA17
, 5F151DA18
, 5F151DA19
, 5F151DA20
, 5F151FA06
, 5F151FA14
, 5F151FA15
, 5F151GA04
, 5F151HA03
, 5F151HA06
, 5F151HA19
