特許

J-GLOBAL ID：201503026801505319

固体撮像素子

発明者： 舩尾 大輔 ,  小西 武文
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012068649
公開番号（公開出願番号）：WO2013-027524
出願日： 2012年07月24日
公開日（公表日）： 2013年02月28日
要約：

ソースフォロアトランジスタが出力する信号から1/fノイズを効果的に低減する固体撮像素子を提供する。固体撮像素子は、第1導電型の基板10と、第1導電型とは異なる第2導電型の蓄積領域にキャリアを蓄積するフォトダイオードと、フォトダイオードから読み出されたキャリアが蓄積される浮遊拡散領域にゲート電極151が電気的に接続されるとともに第2導電型の埋め込みチャネルが形成されるソースフォロアトランジスタ15と、フォトダイオード及びソースフォロアトランジスタ15の活性領域の周囲に設けられる素子分離部21と、を備える。ソースフォロアトランジスタ15の埋め込みチャネルは、素子分離部21の側壁から離間して形成される。

請求項（抜粋）：

第1導電型の基板と、 前記基板に形成され、前記第1導電型とは異なる第2導電型の蓄積領域に、光電変換によって生じたキャリアが蓄積されるフォトダイオードと、 前記基板に形成され、前記フォトダイオードから読み出された前記キャリアが蓄積される浮遊拡散領域にゲート電極が電気的に接続されるとともに、前記第2導電型の埋め込みチャネルが形成されるソースフォロアトランジスタと、 前記基板に形成され、少なくとも前記フォトダイオード及び前記ソースフォロアトランジスタの活性領域の周囲に設けられる素子分離部と、を備え、 前記ソースフォロアトランジスタの前記埋め込みチャネルが、前記素子分離部の側壁から離間して形成されることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/357 ,  H04N 5/374

FI (3件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 570 ,  H04N5/335 740

Fターム (20件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA03 ,  4M118EA14 ,  4M118FA25 ,  4M118FA26 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5C024CX03 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01