特許

J-GLOBAL ID：201503026802197758

半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置

発明者： 寺崎 昌人
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012062681
公開番号（公開出願番号）：WO2012-165166
出願日： 2012年05月17日
公開日（公表日）： 2012年12月06日
要約：

処理室内に収容され、第1の温度に加熱された基板に対して、シリコンを含む原料ガスを供給することで、基板上にシリコン含有層を形成する工程と、第1の温度以上の第2の温度に加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある反応予備室内で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて酸素を含む反応種を生成し、その反応種を、大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理室内の第1の温度に加熱された基板に対して供給することで、基板上に形成されたシリコン含有層を酸化してシリコン酸化層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

処理室内に収容され、第1の温度に加熱された基板に対して、シリコンを含む原料ガスを供給することで、前記基板上にシリコン含有層を形成する工程と、 前記第1の温度以上の第2の温度に加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある反応予備室内で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて酸素を含む反応種を生成し、その反応種を、大気圧未満の圧力雰囲気下にある前記処理室内の前記第1の温度に加熱された前記基板に対して供給することで、前記基板上に形成された前記シリコン含有層を酸化してシリコン酸化層に変化させる工程と、 を交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/31 B ,  C23C16/455 ,  C23C16/42 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371

Fターム (49件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030FA14 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB32 ,  5F045AC03 ,  5F045AC11 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF02 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE07 ,  5F045EE17 ,  5F045EK06 ,  5F045EM09 ,  5F045HA16 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F083EP57 ,  5F083ER22 ,  5F083GA27 ,  5F083PR12 ,  5F101BE07 ,  5F101BH03