特許

J-GLOBAL ID：201503027803486490

グラフェンの製造方法およびグラフェン

発明者： 藤井 健志 ,  佐藤 まり子
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012005646
公開番号（公開出願番号）：WO2013-038622
出願日： 2012年09月06日
公開日（公表日）： 2013年03月21日
要約：

転写プロセスの際に発生する、銅などの金属微粒子の付着を低減し、高い移動度を保った高品質のグラフェンを形成する。 遷移金属基板の表面に炭素を供給することでグラフェンを成長させる工程と、前記グラフェン上に樹脂支持膜を形成する工程と、前記遷移金属基板をエッチングにより除去する工程と、前記樹脂支持膜上のグラフェンを任意の基板あるいは層に貼り付ける工程と、前記樹脂支持膜を除去する工程とを有し、さらに、樹脂支持膜を除去する工程の前に、樹脂支持膜の表面に存在する金属微粒子を取り除く工程を有する

請求項（抜粋）：

遷移金属基板の表面に炭素を供給することでグラフェンを成長させる工程と、前記グラフェン上に樹脂支持膜を形成する工程と、前記遷移金属基板をエッチングにより除去する工程と、前記樹脂支持膜上のグラフェンを任意の基板あるいは層に貼り付ける工程と、前記樹脂支持膜を除去する工程とを有し、さらに、樹脂支持膜を除去する工程の前に、樹脂支持膜の表面に存在する金属微粒子を取り除く工程を有することを特徴とするグラフェンの製造方法。

IPC (1件)：

C01B 31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101Z

Fターム (17件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC27B ,  4G146AD22 ,  4G146AD24 ,  4G146BA12 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC13 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC34B ,  4G146BC38B ,  4G146CA02 ,  4G146CA16 ,  4G146CB29 ,  4G146CB40