めっきの前処理方法および記憶媒体

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：勝沼宏仁 , 永井浩之 , 森秀行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-241080
公開番号（公開出願番号）：特開2015-101737
出願日： 2013年11月21日
公開日（公表日）： 2015年06月04日
要約：

【課題】触媒金属ナノ粒子を下地膜上に良好に定着させる。【解決手段】めっきの前処理方法は、水を含む溶剤に触媒金属ナノ粒子及び分散剤を分散させてなる触媒粒子溶液を基板に供給して、基板の表面に触媒粒子含有膜を形成する触媒粒子含有膜形成工程と、前記基板を第1の温度で加熱して、少なくとも前記触媒粒子含有膜に含まれる水分を除去する第1加熱工程と、前記第1加熱工程の後に、前記基板を前記第1の温度よりも高い第2の温度で加熱することによって前記分散剤を重合させてシート化して、これにより、このシート化された分散剤により前記触媒金属ナノ粒子を覆うとともに下地層に固着する第2加熱工程とを備える。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

水を含む溶剤に触媒金属ナノ粒子及び分散剤を分散させてなる触媒粒子溶液を基板に供給して、基板の表面に触媒粒子含有膜を形成する触媒粒子含有膜形成工程と、前記基板を第1の温度で加熱して、少なくとも前記触媒粒子含有膜に含まれる水分を除去する第1加熱工程と、前記第1加熱工程の後に、前記基板を前記第1の温度よりも高い第2の温度で加熱することによって前記分散剤を重合させてシート化して、これにより、このシート化された分散剤により前記触媒金属ナノ粒子を覆うとともに下地層に固着する第2加熱工程と、を備えたことを特徴とする、めっきの前処理方法。

IPC (3件)：

C23C 18/30 , C23C 18/31 , H05K 3/18

FI (3件)：

C23C18/30 , C23C18/31 A , H05K3/18 B

Fターム (31件)：

4K022AA41 , 4K022BA06 , 4K022BA08 , 4K022BA24 , 4K022BA32 , 4K022BA36 , 4K022CA06 , 4K022CA09 , 4K022CA22 , 4K022CA24 , 4K022DA01 , 4K022EA04 , 5E343AA02 , 5E343AA22 , 5E343BB24 , 5E343BB40 , 5E343BB44 , 5E343BB45 , 5E343BB52 , 5E343BB71 , 5E343CC72 , 5E343CC73 , 5E343DD33 , 5E343EE33 , 5E343EE36 , 5E343ER01 , 5E343ER32 , 5E343FF16 , 5E343GG02 , 5E343GG06 , 5E343GG20

引用特許：

審査官引用 (5件)

セラミックス基材メッキ用表面処理剤および該処理剤を用いたメッキ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-070510 出願人：三ツ星ベルト株式会社
金属膜形成方法、透過率制御板の製造方法及び配線基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-063918 出願人：セイコーエプソン株式会社
基板中間体、基板及び貫通ビア電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-082084 出願人：学校法人関西大学, 田中貴金属工業株式会社

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