特許
J-GLOBAL ID：201503027942025945

電磁比例弁

発明者：
一柳 和男

一柳 和男 について


出願人/特許権者：
リンナイ株式会社

リンナイ株式会社 について


代理人 (1件)： 打揚 洋次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-123966
公開番号（公開出願番号）：特開2013-249874
特許番号：特許第5693522号
出願日： 2012年05月31日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ガス通路とそのガス通路の途中に形成された弁口とを備え、弁体によってこの弁口の開度を増減することによりガス通路を流れるガスの流量が増減調節されるマニホールド部と、このマニホールド部に取り付けられ、弁体の位置を調節することにより弁口の開度を増減するソレノイド部と、弁口の上流側である1次室の圧力を受けて弁体を閉弁側に付勢するダイヤフラムと、このダイヤフラムを外側から覆うと共に上記ソレノイド部が固定されるベース板とを備えた電磁比例弁において、上記ベース板に、ベース板とダイヤフラムとで挟まれる空間に連通する小孔を形成し、この小孔をソレノイド部とベース板との合わせ部分より外側に連通する連通部材を設けると共に、ソレノイド部とベース板とで連通部材を挟んだ状態でこの連通部材に形成した溝に係合して連通部材を固定する、ベース板側に開口する固定部をソレノイド部に設けたことを特徴とする電磁比例弁。
IPC (4件)：
F16K 31/06 ( 200 6.01) ,  F23K 5/00 ( 200 6.01) ,  F23N 1/00 ( 200 6.01) ,  F16K 31/165 ( 200 6.01)
FI (5件)：
F16K 31/06 305 Z ,  F16K 31/06 340 ,  F23K 5/00 301 E ,  F23N 1/00 103 B ,  F16K 31/165
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM