特許

J-GLOBAL ID：201503027999755974

原子層堆積方法および装置

発明者： リンドフォース スヴェン
出願人/特許権者： ピコサン オーワイ
代理人 (1件)： 川守田 光紀
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-500954
公開番号（公開出願番号）：特表2015-512471
出願日： 2012年03月23日
公開日（公表日）： 2015年04月27日
要約：

本発明の一例示的実施形態によると、順次自己飽和表面反応によって材料を少なくとも1つの基板に堆積させるべく構成された原子層堆積反応炉を運転することと、乾燥空気をパージガスとして反応炉内で使用することとを含む方法が提供される。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

順次自己飽和表面反応によって材料を少なくとも1つの基板に堆積させるべく構成された原子層堆積反応炉を運転することと、 乾燥空気をパージガスとして反応炉内で用いることと、 を含む方法。

IPC (4件)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/46

FI (4件)：

C23C16/455 ,  H01L21/31 B ,  H01L21/316 X ,  C23C16/46

Fターム (30件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA43 ,  4K030EA03 ,  4K030EA14 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030KA23 ,  4K030KA28 ,  4K030LA02 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AE29 ,  5F045DP20 ,  5F045EC09 ,  5F045EE04 ,  5F045EE11 ,  5F045EE14 ,  5F045EE19 ,  5F045EG02 ,  5F045EK06 ,  5F058BC03 ,  5F058BF03 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BG03

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 原子層堆積膜の形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-007891   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 堆積反応炉のための方法および装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-511043   出願人：ピコサンオーワイ
• 薄膜製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-285019   出願人：富士電機株式会社
• 特許第7750558号
  
• 特許第7750558号