特許

J-GLOBAL ID：201503028075606650

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 出道 仁彦 ,  小浜 範芳 ,  福田 朋宏
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  シャープ株式会社
代理人 (3件)： 渡邊 和浩 ,  星宮 勝美 ,  城澤 達哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-130238
公開番号（公開出願番号）：特開2015-005634
出願日： 2013年06月21日
公開日（公表日）： 2015年01月08日
要約：

【課題】基板面内での処理の均一性を確保できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ成膜装置100では、下部電極5の非載置領域R2のほぼ全体に、凸状部としての補助プレート9が装着されている。補助プレート9は、枠状をなし、矩形の載置領域R1の全体を囲むように配置されている。補助プレート9は、下部電極5に着脱可能な板状部材であり、例えば、石英、セラミックス、耐熱性の合成樹脂などの誘電体又はアルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス等の導電体によって構成されている。補助プレート9によって、基板Sと下部電極5との段差80を縮小もしくは解消し、ガスGの流れが基板Sのコーナー部へ向かいやすくなる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

真空引き可能な処理容器と、 前記処理容器内において、互いに対向して配置される上部電極及び下部電極と、 前記上部電極又は前記下部電極の少なくとも片方に高周波電力を供給する高周波電源と、 を備え、 前記下部電極は、矩形の基板を載置する矩形の載置領域と、該載置領域を囲むようにその外側に隣接して設けられ、前記基板を載置しない非載置領域と、を有しており、 前記非載置領域の一部分又は全体に、凸状部を設けたプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/455 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L21/31 C ,  C23C16/509 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46 M

Fターム (30件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030GA02 ,  4K030KA18 ,  4K030KA45 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AE23 ,  5F045AF07 ,  5F045BB01 ,  5F045CA13 ,  5F045DA61 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ10 ,  5F045EC01 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EF13 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09