特許
J-GLOBAL ID：201503028283271379
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人前田特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012006052
公開番号（公開出願番号）：WO2013-114481
出願日： 2012年09月24日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：
半導体装置は、第1の半導体チップ1と、上面が第1の半導体チップ1の上面と向かい合って配置され、第1の半導体チップ1のサイズよりも小さい第2の半導体チップ2と、第2の半導体チップ2の側面から外方に向かって形成された拡張部9と、上面が第1の半導体チップ1の上面と向かい合って配置され、かつ、上面が第2の半導体チップ2の下面と向かい合って配置された配線基板3とを備えている。半導体装置は、第2の半導体チップ2の下面および拡張部9の下面の上に形成され、配線基板3と接続された第1の配線10をさらに備えている。
請求項（抜粋）：
第1の半導体チップと、
上面が前記第1の半導体チップの上面と向かい合って配置され、前記第1の半導体チップのサイズよりも小さい第2の半導体チップと、
前記第2の半導体チップの側面から外方に向かって形成された拡張部と、
上面が前記第1の半導体チップの上面と向かい合って配置され、かつ、上面が前記第2の半導体チップの下面と向かい合って配置された配線基板とを備え、
前記第2の半導体チップの下面および前記拡張部の下面の上に形成され、前記配線基板と接続された第1の配線をさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
