ジアリールアミンノボラック樹脂

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：萼経夫 , 宮崎嘉夫 , 加藤勉 , 伴知篤
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012074551
公開番号（公開出願番号）：WO2013-047516
出願日： 2012年09月25日
公開日（公表日）： 2013年04月04日
要約：

【課題】新規なフェニルナフチルアミンノボラック樹脂等のジアリールアミンノボラック樹脂、更には該樹脂を用いた半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるためのレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】下記式(1):【化1】(式(1)中、Ar1、及びAr2はそれぞれベンゼン環、又はナフタレン環を示す)で示される単位構造(A)を含むポリマー。半導体基板にレジスト下層膜形成組成物により下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、レジストパターンによりハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該下層膜をエッチングする工程、及びパターン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下記式(1):

IPC (3件)：

C08G 16/02 , G03F 7/11 , H01L 21/027

FI (3件)：

C08G16/02 , G03F7/11 503 , H01L21/30 574

Fターム (19件)：

2H125AE05N , 2H125AM61N , 2H125AM80N , 2H125AN05N , 2H125AN42N , 2H125AN67N , 2H125BA21N , 2H125BA32N , 2H125BA33N , 2H125CA12 , 2H125CC01 , 2H125CC03 , 2H125DA22 , 2H125DA24 , 4J033GA01 , 4J033GA03 , 4J033HA12 , 4J033HB10 , 5F146PA07

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