特許

J-GLOBAL ID：201503030276481109

圧延銅箔

発明者： 吉田 和生 ,  相宮 奈央子 ,  浅見 和彦 ,  西田 竜司
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社 ,  古河AS株式会社
代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012079300
公開番号（公開出願番号）：WO2013-069800
出願日： 2012年11月12日
公開日（公表日）： 2013年05月16日
要約：

銅または銅合金の結晶粒子で構成された圧延銅箔であって、最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径が0.2μm以上6μm以下であり、最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径の比率が前記圧延銅箔の厚みに対して1%以上6%以下であり、且つ前記圧延銅箔の長手方向に直行する断面をEBSD(electron backscatter diffraction)解析した際における下記式(1)により求められる粒内歪み率が0.5%以上10%以下である圧延銅箔。 式(1) 粒内歪み率(%)=(A)/(B)×100(上記式(1)において、(A)は、画像解析により方位差1度以上15度以下と識別される領域の面積を、(B)は、画像解析により方位差0度以上15度以下と識別される領域の面積を、表す。)

請求項（抜粋）：

銅または銅合金の結晶粒子で構成された圧延銅箔であって、 最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径が0.2μm以上6μm以下であり、 最表面を構成する前記結晶粒子の平均粒子径の比率が前記圧延銅箔の厚みに対して1%以上6%以下であり、 且つ前記圧延銅箔の長手方向に直行する断面をEBSD(electron backscatter diffraction)解析した際における下記式(1)により求められる粒内歪み率が0.5%以上10%以下である圧延銅箔。 式(1) 粒内歪み率(%)=(A)/(B)×100 (上記式(1)において、(A)は、画像解析により方位差1度以上15度以下と識別される領域の面積を、(B)は、画像解析により方位差0度以上15度以下と識別される領域の面積を、表す。)

IPC (4件)：

C22F 1/08 ,  H01B 5/02 ,  B21B 1/40 ,  B21B 3/00

FI (4件)：

C22F1/08 A ,  H01B5/02 Z ,  B21B1/40 ,  B21B3/00 L

Fターム (6件)：

4E002AA08 ,  4E002AD13 ,  4E002CB01 ,  5G307CA04 ,  5G307CB02 ,  5G307CC04