特許
J-GLOBAL ID:201503031533461340
半導体装置、超伝導装置およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
池上 徹真
, 須藤 章
, 松山 允之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-192900
公開番号(公開出願番号):特開2015-060908
出願日: 2013年09月18日
公開日(公表日): 2015年03月30日
要約:
【課題】層状物質に空間選択的に層間物質が存在する半導体装置、超伝導装置とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置100は、2次元状の物質を2層以上積層させた層状物質2を有し、層状物質は、第1層間物質11を層状物質の層間に有するp型領域を有し、p型領域の端部と隣接する導電性領域Bを有し、導電性領域上に、封止部材3を有し、導電性領域の層状物質と導電性領域上の封止部材の距離は、第1層間物質の直径よりも小さい。【選択図】図1
請求項(抜粋):
2次元状の物質を2層以上積層させた層状物質を有し、
前記層状物質は、第1層間物質を前記層状物質の層間に有するp型領域と第2層間物質を前記層状物質の層間に有するn型領域の少なくともいずれかの領域を有し、
前記層状物質は、前記p型領域と前記n型領域のうちの少なくともいずれかと隣接する前記第1層間物質及び前記第2層間物質を含まない導電性領域を有し、
前記導電性領域上、又は、前記導電性領域上及び前記層状物質の端部に、封止部材を有し、
前記導電性領域の層状物質と前記導電性領域上の封止部材の距離は、前記第1層間物質及び前記第2層間物質のうちの最小直径を有する物質の直径よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件):
H01L 29/06
, H01L 29/861
, H01L 29/868
, H01L 29/786
, H01L 29/167
, H01L 39/22
, H01L 39/12
FI (7件):
H01L29/06 601N
, H01L29/91 C
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618E
, H01L29/167
, H01L39/22 A
, H01L39/12 Z
Fターム (22件):
4M113AA08
, 4M113AA18
, 4M113AA19
, 4M113AA27
, 4M113AA30
, 4M113AA37
, 4M113BA29
, 4M113BC07
, 4M113BC09
, 4M113CA39
, 5F110AA01
, 5F110CC03
, 5F110CC07
, 5F110CC10
, 5F110DD01
, 5F110DD05
, 5F110FF02
, 5F110GG01
, 5F110GG19
, 5F110GG28
, 5F110HJ16
, 5F110HJ17
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