特許
J-GLOBAL ID：201503031753460557

パターン形成方法

発明者：
生井 準人

生井 準人 について

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中川 大樹

中川 大樹 について

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原田 健太郎

原田 健太郎 について

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成岡 岳彦

成岡 岳彦 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (1件)： 天野 一規
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-537854
公開番号（公開出願番号）：特表2015-501448
出願日： 2012年10月25日
公開日（公表日）： 2015年01月15日
要約：
本発明は、リソグラフィー用に用いられるレジストパターンの線幅の減少に適用することができるパターン形成方法に関する。このパターン形成方法は、フォトレジスト組成物を、基板に塗布してレジスト膜を形成する工程を含む。このフォトレジスト組成物は、酸解離性基を有する第一ポリマーと、酸発生体とを含有する。このレジスト膜は露光される。このレジスト膜は、有機溶媒含有率が80質量%以上の現像液を用いて現像され、レジスト膜のプレパターンを形成する。複数種の第二ポリマーを含有する組成物を用いて、このプレパターン間に、相分離構造を有する高分子膜を形成する。高分子膜の相分離構造の一部は除去する。
請求項（抜粋）：
パターン形成方法であって、 酸発生体と、酸解離性基を有する第一ポリマーとを含有するフォトレジスト組成物を基板に塗布し、レジスト膜を形成する工程、 前記レジスト膜を露光する工程、 有機溶媒含有率が80質量%以上の現像液を用い、前記レジスト膜を現像し、レジスト膜のプレパターンを形成する工程、 複数種の第二ポリマーを含有する組成物を用い、相分離構造を有する高分子膜を前記プレパターン間に形成する工程、及び 高分子膜の相分離構造の一部を除去する工程を含むパターン形成方法。
IPC (7件)：
G03F 7/40 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/18 ,  C08F 220/22
FI (9件)：
G03F7/40 511 ,  G03F7/32 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/18 ,  C08F220/22 ,  G03F7/40 521
Fターム (43件)：
2H125AF17P ,  2H125AF38P ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AP02N ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125DA22 ,  2H125FA05 ,  2H196AA25 ,  2H196BA06 ,  2H196CA06 ,  2H196EA05 ,  2H196GA03 ,  2H196HA35 ,  2H196LA31 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BB18Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC09P ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100FA28 ,  4J100JA38 ,  5F146LA18
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • パターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-128797   出願人：富士フイルム株式会社
審査官引用 (1件)
  • パターン形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-128797   出願人：富士フイルム株式会社
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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