半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012065923
公開番号（公開出願番号）：WO2013-002129
出願日： 2012年06月21日
公開日（公表日）： 2013年01月03日
要約：

半導体基板の縦型トレンチゲートMOSFET領域(21)および制御用の横型プレーナゲートMOSFET領域(22)にそれぞれ素子を形成するために、まず、縦型トレンチゲートMOSFET領域(21)において、半導体基板上にトレンチ(33)を形成する。次に、トレンチ(33)の内壁に沿って第1ゲート酸化膜(7a)を形成する。次に、トレンチ(33)の内部に、第1ゲート酸化膜(7a)を介してポリシリコン膜(6a)を充填する。次に、素子分離する領域にLOCOS酸化膜(11)を形成する。次に、横型プレーナゲートMOSFET領域(22)において、半導体基板上に第2ゲート酸化膜(7b)を形成する。これにより、工程数の増加を抑え、かつ出力段MOSFETのゲートしきい値電圧が制御用MOSFETのゲートしきい値電圧よりも大きく、LOCOS酸化膜(11)の膜厚が薄くならず、トレンチ(33)内の異物の残渣が生じないという効果を奏する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板の第1の主面側に形成された第1の第1導電型半導体領域と、前記第1導電型半導体基板の第2の主面側の表面層にて選択的に形成された第2導電型半導体領域と、前記第2導電型半導体領域の表面層に選択的に形成された第2の第1導電型半導体領域と、前記第2導電型半導体領域の表面から前記第2導電型半導体領域と前記第2の第1導電型半導体領域とを貫通して前記第1導電型半導体基板に到達するトレンチと、前記トレンチの内壁に沿って形成された第1ゲート酸化膜と、前記トレンチの内部に前記第1ゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極と、を有する主半導体素子部と、前記第1導電型半導体基板の第2の主面側の表面に選択的に形成された、前記第1ゲート酸化膜よりも厚さの厚い選択酸化膜を有する素子分離部と、前記第1導電型半導体基板の第2の主面側の、前記素子分離部によって前記主半導体素子部と分離された部分の表面層に形成された第2導電型ウェル拡散領域と、前記第2導電型ウェル拡散領域の表面に第2ゲート酸化膜を介して形成された制御用ゲート電極と、前記第2導電型ウェル拡散領域の表面層に選択的に形成された第1導電型制御ソース領域と、前記第2導電型ウェル拡散領域の表面層に、前記第2導電型ウェル拡散領域の、前記制御用ゲート電極に対向する部分を挟んで、前記第1導電型制御ソース領域と離れて形成された第1導電型制御ドレイン領域と、を有し、前記主半導体素子部を制御する制御用半導体素子部と、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記第1導電型半導体基板の第2の主面に前記トレンチを形成するトレンチ形成工程と、前記トレンチの内壁に沿って前記第1ゲート酸化膜を形成する第1ゲート酸化膜形成工程と、前記トレンチの内部に、前記第1ゲート酸化膜を介して前記ゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、前記第1導電型半導体基板の第2の主面に、前記選択酸化膜を選択的に形成する選択酸化膜形成工程と、前記第1導電型半導体基板の第2の主面に、前記第1ゲート酸化膜よりも厚さの薄い前記第2ゲート酸化膜を形成する第2ゲート酸化膜形成工程と、前記第2ゲート酸化膜上に前記制御用ゲート電極を形成する制御用ゲート電極形成工程と、を含み、前記選択酸化膜形成工程が、前記トレンチ形成工程よりも後の工程にて行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/739 , H01L 29/06 , H01L 27/08

FI (13件)：

H01L29/78 656G , H01L29/78 653A , H01L29/78 652K , H01L29/78 658F , H01L29/78 655A , H01L29/78 656C , H01L29/78 652P , H01L29/78 655F , H01L29/78 653C , H01L29/78 301Y , H01L27/08 331A , H01L29/06 301F , H01L27/08 102E

Fターム (50件)：

5F048AA04 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC06 , 5F048BA02 , 5F048BA06 , 5F048BB01 , 5F048BB02 , 5F048BB03 , 5F048BB05 , 5F048BB15 , 5F048BB16 , 5F048BB19 , 5F048BB20 , 5F048BC02 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BC18 , 5F048BD07 , 5F048BD10 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BE05 , 5F048BE09 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048BG12 , 5F048CB07 , 5F140AB01 , 5F140AC09 , 5F140AC23 , 5F140AC24 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BC17 , 5F140BD05 , 5F140BD19 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG45 , 5F140BH18 , 5F140BH30 , 5F140BH47 , 5F140BK13 , 5F140CB01 , 5F140CB08

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