半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人サトー国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-248099
公開番号（公開出願番号）：特開2015-106645
出願日： 2013年11月29日
公開日（公表日）： 2015年06月08日
要約：

【課題】液体処理後の乾燥時のパターン倒壊を抑制する。【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面に第1の液体を付着させる工程と、当該第1の液体を、第2の液体に昇華性物質を溶解した溶液に置換する工程とを有する。第2の液体を蒸発させて昇華性物質を前記半導体基板の表面に析出させ、昇華性物質で形成された固体の析出物を形成する工程と、析出物を昇華させることにより除去する工程とを備えている。昇華性物質は、例えばシクロヘキサンに少なくとも2つ以上のカルボキシル基が結合した物質、又は、例えばベンゼンに2つのカルボキシル基が隣接して結合した構造を有する物質である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

微細なパターンが形成された半導体基板の表面に液体処理を施し、前記半導体基板の表面に第1の液体を付着させる工程と、前記半導体基板の表面に付着した第1の液体を、第2の液体に昇華性物質を溶解した溶液に置換する工程と、前記第2の液体を蒸発させて前記昇華性物質を前記半導体基板の表面に析出させ、前記昇華性物質で形成された固体の析出物を形成する工程と、前記析出物を昇華させることにより除去する工程と、を備え、前記昇華性物質は

IPC (12件)：

H01L 21/304 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/306 , C07C 61/09 , C07C 61/08 , C07C 63/16 , C07C 225/22

FI (10件)：

H01L21/304 651 , H01L21/304 647A , H01L27/10 621C , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L21/302 102 , C07C61/09 , C07C61/08 , C07C63/16 , C07C225/22

Fターム (46件)：

4H006AA03 , 4H006AB99 , 4H006BJ20 , 4H006BJ50 , 4H006BN30 , 4H006BS20 , 4H006BS30 , 4H006FC54 , 4H006FE13 , 5F004AA14 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB10 , 5F004EA05 , 5F004EA06 , 5F004EA07 , 5F083AD24 , 5F083AD42 , 5F083AD56 , 5F083EP02 , 5F083EP76 , 5F083GA27 , 5F083JA05 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR05 , 5F083PR07 , 5F083PR09 , 5F101BA01 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BD34 , 5F157AA09 , 5F157AB02 , 5F157AB33 , 5F157AB90 , 5F157AC03 , 5F157AC26 , 5F157BB22 , 5F157BF12 , 5F157BF58 , 5F157BF73 , 5F157BF74 , 5F157CB14 , 5F157DA21

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