特許
J-GLOBAL ID：201503033888749312
インピーダンス変換回路の設計方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 楓国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-520859
特許番号：特許第5672416号
出願日： 2013年09月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1高周波回路と第2高周波回路との間に接続され、互いに結合する第1インダクタンス素子および第2インダクタンス素子を備えたトランス回路を有し、前記第1インダクタンス素子および前記第2インダクタンス素子がそれぞれ層間で互いに結合し、前記第1インダクタンス素子が積層方向に隣接し、前記第2インダクタンス素子が前記第1インダクタンス素子を積層方向に挟むように配置されたインピーダンス変換回路の設計方法であって、
次の各ステップを順に実施することを特徴とするインピーダンス変換回路の設計方法。
[1]前記第1高周波回路のインピーダンスおよび前記第2高周波回路のインピーダンスに基づいて、前記トランス回路の必要なトランス比を決定する。
[2]前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子との結合係数、前記第1インダクタンス素子のインダクタンスおよび前記第2インダクタンス素子のインダクタンスをそれぞれ決定する。
[3]前記第2インダクタンス素子の形状を決定する。
[4]前記第1インダクタンス素子を少なくとも2層のループ導体で構成するように、第1インダクタンス素子の形状を決定するとともに、第1インダクタンス素子のインダクタンス値が所望の値となるように、各ループ導体間の層間距離を定める。
IPC (6件)：
H01Q 1/50 ( 200 6.01)
, H01F 19/06 ( 200 6.01)
, H01F 17/00 ( 200 6.01)
, H01F 41/00 ( 200 6.01)
, H01Q 5/10 ( 201 5.01)
, H03H 7/38 ( 200 6.01)
H01Q 1/50
, H01F 19/06
, H01F 17/00 D
, H01F 41/00 G
, H01Q 5/01
, H03H 7/38 A
