量子ナノ接合トムソン素子とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012063635
公開番号（公開出願番号）：WO2013-094237
出願日： 2012年05月28日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
要約：

太陽光の平均照射電力に匹敵する非常に大きな熱電変換エネルギーを昼夜間連続で獲得できる量子効果を利用した2つのナノ接合トムソン素子を接続した量子ナノ接合トムソン素子を利用した冷却システムからなる量子ナノ接合トムソン素子である。この量子ナノ接合トムソン素子は、原子間力顕微鏡(AFM)法によりSi単結晶基板に集積化が可能な原子レベルの加工をするスピン量子ナノ接合トムソン素子の製造方法で作製され、その工業的価値は極めて高い。

請求項（抜粋）：

金属ナノギャップに半導体を形成してなるナノ接合トムソン素子を高分子膜またはガラス基板に形成する熱電変換装置において、n型半導体からなるナノ接合トムソン素子の発熱部にp型半導体からなるナノ接合トムソン素子の発熱部が接合され二つのナノ接合トムソン素子のそれぞれに独立したDC電源が接続されたことを特徴とする熱電変換装置。

IPC (5件)：

H01L 35/32 , H01L 35/34 , H01L 29/06 , B82Y 30/00 , B82Y 40/00

FI (5件)：

H01L35/32 A , H01L35/34 , H01L29/06 601N , B82Y30/00 , B82Y40/00

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