特許
J-GLOBAL ID：201503037103097510

生産性および均一性が向上したイオン注入システムおよび方法

発明者：
アイスナー,エドワード

アイスナー,エドワード について

, 
ヴァンダーバーグ,ボー

ヴァンダーバーグ,ボー について


出願人/特許権者：
アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド

アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-547180
公開番号（公開出願番号）：特表2015-506076
出願日： 2012年12月13日
公開日（公表日）： 2015年02月26日
要約：
走査素子と、ビームプロファイラーと、分析システムと、ZFE制限素子とを含む走査システムが開示されている。走査素子は、イオンビーム走査経路に亘ってイオンビームを走査するよう構成されている。ビームプロファイラーは、イオンビームがイオンビーム走査経路に亘って走査された時にイオンビームのビーム電流を計測し、分析システムは、計測されたビーム電流を分析してZFE状態を検知する。ZFE制限素子は、ビームプロファイラーの上流にあって、フィードバック経路を介して分析システムに連結しており、ZFE状態が検知されたか否かに基づいて走査されたイオンビームに選択的に電界を印加するよう構成されている。選択的に印加された電界は走査されたビームの変化を誘発してZFE状態を制限する。
請求項（抜粋）：
ビーム経路に沿うイオンビームを生成するよう構成されたイオン源と、 上記イオン源の下流にあり、上記イオンビームの質量分析を行うよう構成された質量分析素要素と、 イオン源の下流にあり、上記イオンビームに働きかける時間変化する場を形成することで、走査経路を横断する走査されたビームを生成するよう構成された走査素子と、 上記走査されたビームが上記走査経路を横断すると、上記走査されたビームのビーム電流を計測するよう構成されたビームプロファイリングシステムと、 上記計測されたビーム電流を分析して、走査によって発生するゼロフィールド効果(ZFE)状態を検知する分析システムと、 上記ビームプロファイラーの上流にあって、フィードバック経路を介して上記分析システムに連結し、ZFE状態が検知されたか否かに基づいて、上記イオンビームに選択的に電界を印加することで、上記ZFE状態が検知された場合に該ZFE状態を制限するよう構成されたZFE制限素子とを備えることを特徴とするイオン注入システム。
IPC (2件)：
H01J 37/317 ,  H01L 21/265
FI (3件)：
H01J37/317 C ,  H01L21/265 T ,  H01L21/265 603B
Fターム (5件)：
5C034CC04 ,  5C034CC05 ,  5C034CC17 ,  5C034CD01 ,  5C034CD07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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