特許
J-GLOBAL ID：201503037798175860
永久スピン旋回に基づくスピン論理
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
市位 嘉宏
, 上野 剛史
, 太佐 種一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-561583
公開番号（公開出願番号）：特表2015-518267
出願日： 2013年04月29日
公開日（公表日）： 2015年06月25日
要約：
デバイス(100)は、方向xおよび方向yによって張られた2次元エリア内に電子ガスまたは2DEGを閉じ込める電子閉じ込め層(8、87、89)であって、方向yは方向xに対して垂直であり、2DEGがその中に所与のスピン成分が方向xに沿って周期性λで振動するが方向yに沿っては振動しない永久スピン旋回またはPSHが形成されることをサポートするように構成されている、電子閉じ込め層(8、87、89)と、多数決論理回路(14)とを備え、その回路は、それぞれのPSHを形成するように、閉じ込め層のそれぞれの第1の領域(10)において2DEGのそれぞれの局所スピン偏極(3)を生成するように付勢される1つまたは複数の入力デバイス(1、1a、1b、1c、1c1、1c2、1d)と、閉じ込め層の第2の領域(40)において、1つまたは複数の入力デバイスによって生成され、結果として生じた1つまたは複数のPSHを介してそれぞれ拡散する1つまたは複数の局所スピン偏極(3)から生じる2DEGの平均スピン偏極(6)を検出するように構成される出力デバイス(4)とを備え、第2の領域(40)と第1の領域(10)の任意の1つとの間の距離dの、前記方向xへの射影はnλ/aに等しく、nは整数であり、aは2または4に等しい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
スピン論理デバイス(100)であって、
方向xおよび方向yによって張られた2次元エリア内に電子ガスまたは2DEGを閉じ込める電子閉じ込め層(8、87、89)であって、前記方向yは前記方向xに対して垂直であり、前記2DEGがその中に所与のスピン成分が方向xに沿って周期性λで振動するが方向yに沿っては振動しない永久スピン旋回またはPSHが形成されることをサポートするように構成されている、前記電子閉じ込め層(8、87、89)と、
論理回路(14)とを備え、前記回路は、
それぞれのPSHを形成するように、前記閉じ込め層のそれぞれの第1の領域(10)において前記2DEGのそれぞれの局所スピン偏極(3)を生成するように付勢される1つまたは複数の入力デバイス(1、1a、1b、1c、1c1、1c2、1d)と、
前記閉じ込め層の第2の領域(40)において、前記1つまたは複数の入力デバイスによって生成され、結果として生じた1つまたは複数のPSHを介してそれぞれ拡散する1つまたは複数の局所スピン偏極(3)から生じる前記2DEGの平均スピン偏極(6)を検出するように構成される出力デバイス(4)とを備え、
前記第2の領域(40)と前記第1の領域(10)の任意の1つとの間の距離(d)の、前記方向xへの射影はnλ/aに等しく、nは整数であり、aは2または4に等しい、スピン論理デバイス(100)。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
5F092AB10
, 5F092AC21
, 5F092AD25
, 5F092BD15
, 5F092BD19
, 5F092GA03
審査官引用 (2件)
-
集積回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願2010-213585
出願人：株式会社東芝
-
スピン光電子デバイス
公報種別：公開公報
出願番号：特願2009-251998
出願人：株式会社日立製作所
引用文献：
前のページに戻る
