半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：金本哲男 , 亀谷美明 , 萩原康司 , 扇田尚紀
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012065400
公開番号（公開出願番号）：WO2012-173238
出願日： 2012年06月15日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
要約：

半導体装置の製造方法は、回路が形成された基板の厚み方向に貫通する、電極用貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記電極用貫通孔に導電性材料を供給して、貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、前記回路には接続されて、前記貫通電極には接続されておらず、少なくとも一部が前記基板の表面に露出している配線を形成する工程と、前記回路の電気的試験の結果、不良品と判定された不良品回路においては、前記貫通電極と前記配線とを電気的に接続せず、前記回路の電気的試験の結果、良品と判定された良品回路においては、導電性材料で接合することにより、前記貫通電極と前記配線とを電気的に接続する選択的接続工程と、前記貫通電極及び前記配線が形成された基板を複数積層する積層工程と、を有する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法であって、回路が形成された基板の厚み方向に貫通する、電極用貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記電極用貫通孔に導電性材料を供給して、貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、前記回路には接続されて、前記貫通電極には接続されておらず、少なくとも一部が前記基板の表面に露出している配線を形成する工程と、前記回路の電気的試験の結果、不良品と判定された不良品回路においては、前記貫通電極と前記配線とを電気的に接続せず、前記回路の電気的試験の結果、良品と判定された良品回路においては、導電性材料で接合することにより、前記貫通電極と前記配線とを電気的に接続する選択的接続工程と、前記貫通電極及び前記配線が形成された基板を複数積層する積層工程と、を有する。

IPC (11件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 27/10 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/82 , H01L 21/66

FI (8件)：

H01L25/08 C , H01L27/10 495 , H01L21/88 J , H01L27/04 E , H01L21/82 R , H01L21/82 P , H01L21/82 S , H01L21/66 B

Fターム (40件)：

4M106AA01 , 4M106BA01 , 4M106DD03 , 4M106DJ28 , 4M106DJ38 , 5F033MM30 , 5F033PP26 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ07 , 5F033QQ37 , 5F033QQ38 , 5F033VV07 , 5F033VV16 , 5F033XX34 , 5F038BE07 , 5F038DF05 , 5F038DT15 , 5F038DT18 , 5F038EZ07 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20 , 5F064AA11 , 5F064BB03 , 5F064BB07 , 5F064BB12 , 5F064BB16 , 5F064EE53 , 5F064FF02 , 5F064FF04 , 5F064FF48 , 5F064GG03 , 5F083GA10 , 5F083GA27 , 5F083LA00 , 5F083LA11 , 5F083MA06 , 5F083MA15 , 5F083ZA10

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