特許
J-GLOBAL ID：201503038653375620

半導体装置

発明者：
佐久間 盛敬

佐久間 盛敬 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 柳瀬 睦肇 ,  宇都宮 正明 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-229972
公開番号（公開出願番号）：特開2015-090913
出願日： 2013年11月06日
公開日（公表日）： 2015年05月11日
要約：
【課題】耐圧変動を抑制したダイオードを有する半導体装置を提供する。【解決手段】P型エピタキシャル成長層13に形成された、第1の角部17a,17b,18a,18bを有する素子分離領域17,18と、前記P型エピタキシャル成長層に形成され、前記素子分離領域の内側に位置するN-型のカソード14と、前記カソード上に接して形成され、前記素子分離領域の内側の前記第1の角部を覆うP-型のアノード20と、を具備し、前記カソードと前記アノードの接合部がダイオードのPN接合部であり、前記PN接合部が前記第1の角部から離れている半導体装置である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体層に形成された、第1の角部を有する素子分離領域と、 前記半導体層に形成され、前記素子分離領域の内側に位置する第1導電型の第1の不純物領域と、 前記第1の不純物領域上に接して形成され、前記素子分離領域の内側の前記第1の角部を覆う第2導電型の第2の不純物領域と、 を具備し、 前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域の接合部がダイオードのPN接合部であり、 前記PN接合部が前記第1の角部から離れていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/329 ,  H01L 29/866 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/316
FI (4件)：
H01L29/90 D ,  H01L29/91 C ,  H01L21/76 D ,  H01L21/94 A
Fターム (6件)：
4M108AA09 ,  4M108AB04 ,  4M108AD11 ,  5F032AA13 ,  5F032CA15 ,  5F032DA12
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM