特許

J-GLOBAL ID：201503039627806198

パターン形成方法

発明者： 河野 佑介 ,  平加 貴昭
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (2件)： 米田 潤三 ,  太田 昌孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-252731
公開番号（公開出願番号）：特開2015-111607
出願日： 2013年12月06日
公開日（公表日）： 2015年06月18日
要約：

【課題】高い精度でパターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。【解決手段】インプリント方法によりモールドで被形成樹脂組成物を成形して、複数の凸部と該凸部間の凹部に位置する残膜部とを有するパターン構造体を転写基板の被加工面に準備し、パターン構造体を被覆するように保護膜を形成した後、パターン構造体の凸部の側壁面に保護膜が残存し、凹部に位置する残膜部が露出するように保護膜を除去し、保護膜が残存する状態でパターン構造体にドライエッチングを施して、パターン構造体の凹部に位置する残膜部を除去し、側壁面に保護膜が位置する凸部を残存させ、残膜部が除去されたパターン構造体をエッチングマスクとして転写基板の被加工面をエッチングしてパターンを形成する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

インプリント方法によりモールドで被形成樹脂組成物を成形して、複数の凸部と該凸部間の凹部に位置する残膜部とを有するパターン構造体を転写基板の被加工面に準備し、 前記パターン構造体を被覆するように保護膜を形成した後、前記パターン構造体の凸部の側壁面に前記保護膜が残存し、前記パターン構造体の凹部に位置する前記残膜部が露出するように前記保護膜を除去し、 前記保護膜が残存する状態で前記パターン構造体にドライエッチングを施して、前記パターン構造体の凹部に位置する前記残膜部を除去し、側壁面に前記保護膜が位置する凸部を残存させ、 前記残膜部が除去された前記パターン構造体をエッチングマスクとして前記転写基板の前記被加工面をエッチングすることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  B29C 33/42 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L21/30 502D ,  H01L21/30 573 ,  B29C33/42 ,  H01L21/302 105A

Fターム (18件)：

4F202AF01 ,  4F202AG05 ,  4F202CB01 ,  4F202CD03 ,  4F202CD16 ,  4F202CD24 ,  5F004AA09 ,  5F004DB03 ,  5F004DB12 ,  5F004DB23 ,  5F004EA03 ,  5F004EA05 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F146AA31 ,  5F146AA32 ,  5F146NA01 ,  5F146NA18